|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
222793 |
| 005 |
20231101230500.0 |
| 010 |
|
|
|a 5256007408
|
| 020 |
|
|
|a RU
|b 90-18419
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\243020
|
| 090 |
|
|
|a 222793
|
| 100 |
|
|
|a 20121002d1990 k y0rusy5003 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия
|f А. В. Черняев
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Радио и связь
|d 1990
|
| 215 |
|
|
|a 88 с.
|c ил.
|d 22 см
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 83-86 (66 назв.)
|
| 606 |
1 |
|
|a Галлий, арсенид
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\5459
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводники
|x Физико-химические исследования
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50609
|9 69262
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводниковые приборы
|x Производство
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50692
|9 69343
|
| 606 |
1 |
|
|a Легирование ионное
|x Технология
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\39890
|9 59789
|
| 610 |
1 |
|
|a ионы
|
| 610 |
1 |
|
|a имплантация
|
| 610 |
1 |
|
|a радиационные дефекты
|
| 610 |
1 |
|
|a отжиг
|
| 610 |
1 |
|
|a диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a интегральные схемы
|
| 610 |
1 |
|
|a оптоэлектроника
|
| 675 |
|
|
|a 621.315.592:54
|z rus
|
| 700 |
|
1 |
|a Черняев
|b А. В.
|g Александр Владимирович
|4 070
|
| 801 |
|
0 |
|a RU
|b RuMRKP
|c 19950417
|g psbo
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20121002
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20121005
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
