• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Erweitert
  • Метод ионной имплантации в тех...
  • Zitieren
  • SMS versenden
  • Als E-Mail versenden
  • Drucken
  • Datensatz exportieren
    • Exportieren nach RefWorks
    • Exportieren nach EndNoteWeb
    • Exportieren nach EndNote
  • Persistenter Link
Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Черняев А. В. Александр Владимирович
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Москва, Радио и связь, 1990
Schlagworte:
Галлий, арсенид
Полупроводники > Физико-химические исследования
Полупроводниковые приборы > Производство
Легирование ионное > Технология
ионы
имплантация
радиационные дефекты
отжиг
диоды
транзисторы
интегральные схемы
оптоэлектроника
Format: Buch
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=222793
  • Exemplare
  • Beschreibung
  • Ähnliche Einträge
  • Internformat
Beschreibung
Beschreibung:88 с. ил.
ISBN:5256007408

Ähnliche Einträge

  • Технология ионного легирования пер. с яп.
    Veröffentlicht: (Москва, Советское радио, 1974)
  • Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
    von: Прудаев И. А. Илья Анатольевич
    Veröffentlicht: (Томск, 2009)
  • Зоны и экситоны соединений группы А"В"
    von: Соболев В. В. Валентин Викторович
    Veröffentlicht: (Кишинев, Штиинца, 1980)
  • Физико-химия полупроводникового материаловедения
    Veröffentlicht: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1978)
  • Trap Level Spectroscopy in Amorphous Semiconductors
    von: Mikla V. I. Victor
    Veröffentlicht: (Amsterdam, Elsevier, 2010)