Метод определения температуры p-n перехода светоизлучающих диодов по спаду интенсивности излучения

Метод определения температуры p-n перехода светоизлучающих диодов по спаду интенсивности излучения

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Parent link:	Современные техника и технологии: сборник трудов XVIII международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 9-13 апреля 2012 г/ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2012 Т. 1.— 2012.— [С. 189-190]
Κύριος συγγραφέας:	Гущин В. А.
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή:	Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)
Άλλοι συγγραφείς:	Роденко О. Л. (727), Мошкина А. В., Смирнов С. В.
Περίληψη:	Заглавие с титульного листа
Γλώσσα:	Ρωσικά
Έκδοση:	2012
Σειρά:	Секция 2. Приборостроение
Θέματα:	электронный ресурс светоизлучающие диоды p-n переходы температура
Διαθέσιμο Online:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2012/C2/V1/v1_092.pdf
Μορφή:	Ηλεκτρονική πηγή Κεφάλαιο βιβλίου
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=221991

Παρόμοια τεκμήρια

Надежность светоизлучающих диодов
από: Симонова А. В.
Έκδοση: (2015)

Элементы оптоэлектроники учебное пособие
από: Богатиков Е. В.
Έκδοση: (Воронеж, ВГУ, 2010)

Уникальные возможности применения белых светоизлучающих диодов в дизайне
από: Чичёв А. А.
Έκδοση: (2012)

Лавинный пробой p-n - перехода в полупроводниках
από: Грехов И. В. Игорь Всеволодович
Έκδοση: (Ленинград, Энергия, 1980)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения
Έκδοση: (2010)

Моделирование состава стеклопокрытия для защиты p-n перехода
από: Нестеренко А. А.
Έκδοση: (2023)

Исследование стабильности наносекундных источников света на основе синих светоизлучающих диодов из соединений CaN и InGaN
από: Вятчин Е. Э.
Έκδοση: (2004)

Ч. 2
Έκδοση: (1988)

Частотная модуляция с помощью емкостей p-n переходов
από: Чудаков И. М. Игорь Михайлович
Έκδοση: (Москва, Связь, 1968)

Основы теории полупроводниковых приборов
από: Пикус Г. Е. Григорий Езекиелевич
Έκδοση: (Москва, Наука, 1965)

Разработка составов стёкол для защиты p-n перехода
από: Комаров Д. В.
Έκδοση: (2024)

Изучение выпрямляющих свойств электронно-дырочного перехода учебно-методическое пособие
από: Владимирова Л. Н.
Έκδοση: (Воронеж, ВГУ, 2019)

Распределение потенциала, поля и концентраций носителей тока в области сильного поля вплавленных p-n-переходов и pin-структур Ч. 1
από: Рябинкин Ю. С.
Έκδοση: (1960)

Распределение потенциала, поля и концентраций носителей тока в области сильного поля вплавленных p-n-переходов и pin-структур Ч. 2
από: Рябинкин Ю. С.
Έκδοση: (1960)

Физика p - n-переходов
Έκδοση: (Рига, Зинатне, 1966)

Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах
από: Коршунов Ф. П. Федор Павлович
Έκδοση: (Минск, Наука и техника, 1978)

Управляемые полупроводниковые вентили. Принцицы действия и области применения p-n-p-n устройств пер. с англ.
Έκδοση: (Москва, Мир, 1967)

Полупроводниковые элементы электронных устройств
από: Орлов Г. А.
Έκδοση: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Общая физика полупроводников учебное пособие для вузов
από: Мейлихов Е. З. Евгений Залманович
Έκδοση: (Москва, МФТИ, 2006)

Электроника учебное пособие
από: Соколов О. А.
Έκδοση: (Санкт-Петербург, СПБГУ ГА им. А.А. Новикова, 2022)

Влияние параметров магнетроного осаждения на стехиометрию покрытий оксида меди, полученных в металлическом режиме
από: Воронина Е. Д. Екатерина Дмитриевна
Έκδοση: (2023)

Некоторые вопросы физики электронно-дырочных переходов
από: Абдуллаев Г. Б.
Έκδοση: (Баку, Элм, 1971)

Substituent-sensitive fluorescence of sequentially N-alkylated tetrabenzotetraaza[8]circulenes
Έκδοση: (2017)

Полупроводниковые приборы и их применение учебное пособие
από: Астапенко Э. С.
Έκδοση: (Томск, ТГАСУ, 2021)

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]
από: Кудряшов В. Е.
Έκδοση: (2003)

Электроника
από: Горбачев А. А.
Έκδοση: (Калининград, БФУ им. И.Канта, 2022)

Приборы СВЧ и оптического диапазона
από: Дементьев А. Н.
Έκδοση: (Самара, ПГУТИ, 2018)

Устройства и приборы СВЧ, КВЧ и оптического диапазона учебник для вузов
από: Антипова Т. А.
Έκδοση: (Самара, ПГУТИ, 2024)

Интегральные схемы. Принципы конструирования и производства перевод с английского
Έκδοση: (Москва, Советское радио, 1968)

(Супра)молекулярная стратегия создания светоизлучающих систем
από: Кинжалов М. А. Михаил Андреевич
Έκδοση: (2023)

Новые методы расчета электрических полей и пробивных напряжений p-n переходов в полупроводниковых приборах монография
από: Петров Б. К. Борис Константинович
Έκδοση: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 2008)

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебник для академического бакалавриата
από: Старосельский В. И. Виктор Игоревич
Έκδοση: (Москва, Юрайт, 2014)

Радиотехнические устройства на транзисторных эквивалентах p-n-p-n структуры
από: Арефьев А. А. Александр Афанасьевич
Έκδοση: (Москва, Радио и связь, 1982)

Физические основы электроники. Контакты металл–полупроводник учебно-методическое пособие
από: Дорогой С. В.
Έκδοση: (Новосибирск, НГТУ, 2019)

Дисплеи пер. с англ.
Έκδοση: (Москва, Мир, 1982)

Особенности применения оптронов в режиме малых токов
από: Игумнов Д. В. Дмитрий Васильевич
Έκδοση: (Москва, Энергия, 1979)

The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability
Έκδοση: (2016)

In-service change in radiant power of infrared LEDs
από: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Έκδοση: (2016)

Theoretical and Experimental Study of Led Luminaire
από: Gurin S. Yu. Sergey Yurievich
Έκδοση: (2015)

Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп пер. с англ.
από: Маделунг О.
Έκδοση: (Москва, Мир, 1967)