Метод определения температуры p-n перехода светоизлучающих диодов по спаду интенсивности излучения

Bibliographic Details
Parent link:	Современные техника и технологии: сборник трудов XVIII международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 9-13 апреля 2012 г/ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2012 Т. 1.— 2012.— [С. 189-190]
Main Author:	Гущин В. А.
Corporate Author:	Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)
Other Authors:	Роденко О. Л. (727), Мошкина А. В., Смирнов С. В.
Summary:	Заглавие с титульного листа
Language:	Russian
Published:	2012
Series:	Секция 2. Приборостроение
Subjects:	электронный ресурс светоизлучающие диоды p-n переходы температура
Online Access:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2012/C2/V1/v1_092.pdf
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=221991

Internet