MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 218238
005 20231031194834.0
020 |a RU  |b 82-23711 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\238254 
090 |a 218238 
100 |a 20120618d1982 k y0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Нитрид кремния в электронике  |f В. И. Белый [и др.]  |g Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт физики полупроводников (ИФП); Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ); под ред. А. В. Ржанова 
210 |a Новосибирск  |c Наука  |d 1982 
215 |a 200 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 186-198. 
610 1 |a электроника 
610 1 |a нитрид кремния 
610 1 |a интегральные схемы 
610 1 |a синтез 
610 1 |a состав 
610 1 |a структура 
610 1 |a характеристика 
610 1 |a физико-химические процессы 
610 1 |a оптические свойства 
610 1 |a электрофизические свойства 
675 |a 621.382.049  |v 3 
701 1 |a Белый  |b В. И.  |g Вячеслав Иванович 
701 1 |a Васильева  |b Л. Л.  |g Людмила Львовна 
701 1 |a Гриценко  |b В. А.  |g Владимир Алексеевич 
701 1 |a Гиновкер  |b А. С.  |g Андрей Самсонович 
701 1 |a Репинский  |b С. М.  |g Сергей Маркович 
702 1 |a Ржанов  |b А. В.  |g Анатолий Васильевич  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук СССР (АН СССР)  |b Сибирское отделение (СО)  |b Институт физики полупроводников (ИФП)  |c (Новосибирск)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\11385 
712 0 2 |a Академия наук СССР (АН СССР)  |b Сибирское отделение (СО)  |b Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ)  |c (Новосибирск)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\12178 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19950704  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20120618 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160329  |g RCR 
942 |c BK