Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07

Detalles Bibliográficos
Autor Principal:	Рубанов П. В. Павел Владимирович
Autor Corporativo:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (ЮТИ)
Outros autores:	Градобоев А. В. Александр Васильевич (научный руководитель)
Summary:	Защищена 28.03.2012 г.
Idioma:	ruso
Publicado:	Томск, 2012
Subjects:	Полупроводниковые приборы > Радиационная стойкость светодиоды гетероструктуры облучение быстрые нейтроны комбинированное облучение гамма-кванты светоизлучающие диоды производство радиационные технологии диссертации труды учёных ТПУ
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=212686

Títulos similares

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
por: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Publicado: (Томск, 2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
por: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Publicado: (Томск, 2012)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2012)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2018)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (Томск, 2013)

The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability; Microelectronics Reliability; Vol. 65
Publicado: (2016)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (Томск, 2013)

Влияния температуры на стойкость светодиодов ИК-диапазона к облучению гамма-квантами 60Со; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 1
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2016)

Influence of preliminary irradiation by gamma-quanta on development of catastrophic failures during operation of IR-LEDs; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 830 : Energy Fluxes and Radiation Effects 2016
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2017)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2011)

Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения; Физико-технические проблемы в науке, промышленности и медицине
por: Жамалдинов Ф. Ф.
Publicado: (2022)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2013)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs при облучении электронами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2011)

Радиационно-стимулированный отжиг гамма-квантами светодиодов на основе гетероструктуры ALGAAS, подвергнутых воздействию быстрых нейтронов; Интеграция науки, образования и производства – основа реализации Плана нации (Сагиновские чтения №12); Ч. 1
por: Терниевская А. В. Анастасия Витальевна
Publicado: (2020)

Effect of temperature on resistance of LEDs based on AlGaAs heterostructures to {60}Co gamma radiation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 830 : Energy Fluxes and Radiation Effects 2016
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2017)

Деградация светодиодов на основе AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами; Проблемы фундаментальных и прикладных естественных и технических наук в современном информационном обществе. Общая и прикладная физика
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2011)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Publicado: (2013)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)

Investigation of the resistance of AlGaInP LEDs (λ=630 nm) to irradiation with fast neutrons; Физико-технические проблемы в науке, промышленности и медицине
Publicado: (2022)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2016)

Светодиоды на основе гетероструктур AlGaAs: действие гамма-излучения и эксплуатационных факторов; IX Школа-конференция молодых атомщиков Сибири
por: Симонова А. В.
Publicado: (2018)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)

The Influence of Power Mode on Ir-Leds Resistance to the Irradiation with Fast Neutrons; Applied Mechanics and Materials; Vol. 770 : Urgent Problems of Up-to-Date Mechanical Engineering
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2015)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
por: Ли Цзысюань
Publicado: (2017)

Effects of P-N Junction Built-In Electric Field on Ir-Led Resistance under Gamma Rays Irradiation; Applied Mechanics and Materials; Vol. 770 : Urgent Problems of Up-to-Date Mechanical Engineering
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2015)

Исследование метода струйной печати для производства OLED панелей и светодиодов; Вестник науки Сибири; № 1 (2)
por: Сим П. Е. Павел Евгеньевич
Publicado: (2012)

Радиационные методы в твердотельной электронике: [монография]
Publicado: (Москва, Радио и связь, 1990)

Research on the radiation exposure "memory effects" in AlGaAs heterostructures; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2015)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons; Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo)
por: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Publicado: (2014)

Reliability of LEDs based upon AlGaAs heterostructures: combined influence of fast neutron and operation factors; 6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects; 18th International Conference on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter (18th RPC)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2018)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2016)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2013)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2013)

Получение гетероструктур Ag[2]S/Ag фотохимическим методом; Химия и химическая технология в XXI веке
por: Итыгина Д. Р.
Publicado: (2020)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2015)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2014)

Влияние облучения позитронами на характеристики светодиодов; Ресурсоэффективные системы в управлении и контроле: взгляд в будущее
por: Пушкарев А. С.
Publicado: (2019)

Фотолюминесценция полупроводниковых гетероструктур ALGAN / INGAN / GANс возбуждением импульсной Хе-лампой; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
por: Сычева А. В.
Publicado: (2016)

Influence of preliminary irradiation by qamma-quanta on dvelopment of catastrofic failures during operation of IR-LEDs; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2016)