• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Pokročilé
  • Радиационная стойкость гетерос...
  • Vytvořit citaci
  • Zaslat SMS
  • Poslat e-mailem
  • Vytisknout
  • Exportovat záznam
    • Exportovat do RefWorks
    • Exportovat do EndNoteWeb
    • Exportovat do EndNote
  • Trvalý odkaz
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07

Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Korporativní autor: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (ЮТИ)
Další autoři: Градобоев А. В. Александр Васильевич (научный руководитель)
Shrnutí:Защищена 28.03.2012 г.
Jazyk:ruština
Vydáno: Томск, 2012
Témata:
Полупроводниковые приборы > Радиационная стойкость
светодиоды
гетероструктуры
облучение
быстрые нейтроны
комбинированное облучение
гамма-кванты
светоизлучающие диоды
производство
радиационные технологии
диссертации
труды учёных ТПУ
Médium: Kniha
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=212686
  • Jednotky
  • Popis
  • Podobné jednotky
  • UNIMARC/MARC

Podobné jednotky

  • Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
    Autor: Рубанов П. В. Павел Владимирович
    Vydáno: (Томск, 2012)
  • Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
    Autor: Рубанов П. В. Павел Владимирович
    Vydáno: (Томск, 2012)
  • Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
    Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
    Vydáno: (2012)
  • Влияния температуры на стойкость светодиодов ИК-диапазона к облучению гамма-квантами 60Со; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 1
    Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
    Vydáno: (2016)
  • Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
    Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
    Vydáno: (2011)