Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

Dettagli Bibliografici
Autore principale:	Дзядух С. М. Станислав Михайлович
Ente Autore:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Altri autori:	Войцеховский А. В. Александр Васильевич (научный руководитель)
Riassunto:	Защита сост. 23.12.2010 г.
Lingua:	russo
Pubblicazione:	Томск, 2010
Soggetti:	Полупроводники слоистые > Физика полупроводниковые твердые растворы свойства состав эпитаксиальные пленки диэлектрические покрытия фотоэлектрические характеристики расчет приповерхностные слои варизонные слои авторефераты диссертаций физика МПД-структуры полупроводники
Natura:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=189811

Documenti analoghi

Электронные свойства упорядоченных и неупорядоченных систем: межвузовский тематический сборник
Pubblicazione: (Ярославль, Изд-во ЯрГУ, 1984)

Основы физики полупроводниковых слоистых систем
di: Литовченко В. Г. Владимир Григорьевич
Pubblicazione: (Киев, Наукова думка, 1980)

Варизонные полупроводники и гетероструктуры: учебное пособие
di: Ильин В. И. Владимир Иванович
Pubblicazione: (СПб., Наука, 2000)

Репродукционная эпитаксия
di: Маслов В. Н. Вадим Николаевич
Pubblicazione: (Москва, Металлургия, 1981)

Полупроводниковые пленки и слоистые структуры
Pubblicazione: (Киев, Наукова думка, 1977)

Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии
di: Уфимцев В. Б. Всеволод Борисович
Pubblicazione: (Москва, Металлургия, 1983)

Излучательная рекомбинация в Cdx Hg1-x Te
di: Мехтиев А. Ш. Ариф Шафаят оглы
Pubblicazione: (Баку, ЭЛМ, 1991)

Исследование процессов переноса и накопления заряда в МДП_структурах на кремнии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
di: Гиновкер А. С. Андрей Самсонович
Pubblicazione: (Новосибирск, [Б. и.], 1974)

Вып. 15; Квантовая электроника
Pubblicazione: (1978)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
di: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Pubblicazione: (Москва, Советское радио, 1976)

Физика МДП-структур: учебное пособие
di: Сыноров В. Ф. Владимир Федорович
Pubblicazione: (Воронеж, Изд-во Воронеж. ун-та, 1989)

Ионная имплантация: пер. с нем.
di: Риссел Х.
Pubblicazione: (Москва, Наука, 1983)

The electrical conductivity of the surface layers of oxide polycrystalline semiconductors irradiated by accelerated ions; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
di: Frangulyan (Franguljyan) Т. S. Tamara Semenovna
Pubblicazione: (2015)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник; Вып. 5
Pubblicazione: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Полевые транзисторы; Физика, технология и применения: пер. с англ.
Pubblicazione: (Москва, Советское радио, 1971)

Модифицирование полупроводников пучками протонов
di: Козловский В. В. Виталий Васильевич
Pubblicazione: (СПб., Наука, 2003)

Газофазная микрометаллургия полупроводников
di: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Pubblicazione: (Москва, Металлургия, 1974)

МДП-структуры: учебное пособие
di: Сокольников А. В. Анатолий Владимирович
Pubblicazione: (Саранск, Изд-во Мордовского ун-та, 1986)

Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа AIIIBV; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 313, № 3: Химия. Физика
di: Мокроусов Г. М.
Pubblicazione: (2008)

Вып. 7 : Неравновесные процессы в полупроводниках; Физика
Pubblicazione: (1987)

Вып. 23; Квантовая электроника
Pubblicazione: (1982)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
di: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Pubblicazione: (Томск, 2012)

Высокотемпературные квантовые гальваномагнитные эффекты в двумерных инверсионных слоях МДП-транзисторов
di: Якимаха А. Л. Александр Леонтьевич
Pubblicazione: (Киев, Выща школа, 1989)

Действие ионной обработки на электрическую проводимость приповерхностных слоев оксидных поликристаллических полупроводников; Системы. Методы. Технологии; № 1 (21)
di: Франгульян Т. С. Тамара Семёновна
Pubblicazione: (2014)

Физика полупроводников и микроэлектроника: междуведомственный сборник научных трудов
Pubblicazione: (Рязань, Изд-во РРИ, 1980)

Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников
di: Войцеховский А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (Томск, Радио и связь, 1990)

Радиационно-стимулированные явления в твердых телах: межвузовский сборник научных трудов
Pubblicazione: (Свердловск, Изд-во УПИ, 1989)

Межфазные превращения в системах A³B5-H2O и формирование поверхности полупроводниковых соединений в жидких средах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук; спец. 02.00.04
di: Зарубина О. Н. Оксана Николаевна
Pubblicazione: (Томск, 2013)

Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А В: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Ивонин И. В. Иван Варфоломеевич
Pubblicazione: (Новосибирск, [Б. и.], 1998)

Управление составом полупроводниковых слоев
di: Романенко В. Н. Владимир Николаевич
Pubblicazione: (Москва, Металлургия, 1978)

Поверхность кристалла и эпитаксия
di: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
Pubblicazione: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)

Материалы электронной техники: сборник научных трудов
Pubblicazione: (Москва, Изд-во МИЭТ, 1984)

Пленки оксидов редкоземельных элементов в МДМ- и МДП-структурах
Pubblicazione: (Саратов, Изд-во Саратовского ун-та, 1983)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
di: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2007)

Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок АIII BV и контактов металл/ АIII BV методом атомно-силовой микроскопии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
di: Новиков В. А. Вадим Александрович
Pubblicazione: (Томск, 2010)

Материаловедение полупроводников и диэлектриков: учебник
di: Горелик С. С. Семен Самуилович
Pubblicazione: (Москва, МИСиС, 2003)

Физика полупроводников. Эффекты переноса в полупроводниковых пленках: учебное пособие
di: Бочкарева Л. В.
Pubblicazione: (Ярославль, Изд-во ЯрГУ, 1985)

Исследование реактивно распыленных диэлектрических пленок в МДП-структурах: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
di: Шандра З. А.
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1972)

Примеси и точечные дефекты в полупроводниках
di: Емцев В. В. Вадим Валентинович
Pubblicazione: (Москва, Радио и связь, 1981)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
di: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2007)