Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Дзядух С. М. Станислав Михайлович
Autor Corporativo:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Otros Autores:	Войцеховский А. В. Александр Васильевич (научный руководитель)
Sumario:	Защита сост. 23.12.2010 г.
Lenguaje:	ruso
Publicado:	Томск, 2010
Materias:	Полупроводники слоистые > Физика полупроводниковые твердые растворы свойства состав эпитаксиальные пленки диэлектрические покрытия фотоэлектрические характеристики расчет приповерхностные слои варизонные слои авторефераты диссертаций физика МПД-структуры полупроводники
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=189811

Ejemplares similares