|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
188764 |
| 005 |
20231101224146.0 |
| 010 |
|
|
|a 9785769210815
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\205019
|
| 090 |
|
|
|a 188764
|
| 100 |
|
|
|a 20101213d2010 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Диэлектрики в наноэлектронике
|f В. А. Гриценко [и др.]
|g Российская академия наук (РАН), Сибирское отделение (СО), Институт физики полупроводников (ИФП) ; отв. ред. А. Л. Асеев
|
| 210 |
|
|
|a Новосибирск
|c Изд-во СО РАН
|d 2010
|
| 215 |
|
|
|a 258 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце глав.
|
| 330 |
|
|
|a Монография посвящена физике и применению диэлектрических пленок в кремниевых приборах наноэлектроники. Рассмотрены строение пленок оксида и нитрида кремния, полупроводниковые нанокристаллы в диэлектрических пленках, электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, технология структур кремний-на-изоляторе, физика приборов флэш-памяти. Монография предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, бакалавров, магистрантов и аспирантов, обучающихся по микроэлектронике и физике твердого тела.
|
| 606 |
1 |
|
|a Наноэлектроника
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\58929
|9 76611
|
| 610 |
1 |
|
|a нестехиометрические оксиды
|
| 610 |
1 |
|
|a нитрид кремния
|
| 610 |
1 |
|
|a атомная структура
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые нанокластеры
|
| 610 |
1 |
|
|a нанокристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a фотолюминесценция
|
| 610 |
1 |
|
|a электрические свойства
|
| 610 |
1 |
|
|a электрооптические кристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a кремниевые приборы
|
| 610 |
1 |
|
|a диэлектрики
|
| 610 |
1 |
|
|a диэлектрические слои
|
| 610 |
1 |
|
|a флэш-приборы памяти
|
| 610 |
1 |
|
|a диэлектрические пленки
|
| 675 |
|
|
|a 621.382:53
|v 3
|
| 701 |
|
1 |
|a Гриценко
|b В. А.
|g Владимир Алексеевич
|
| 701 |
|
1 |
|a Тысченко
|b И. Е.
|g Ида Евгеньевна
|
| 701 |
|
1 |
|a Попов
|b В. П.
|g Владитмир Павлович
|
| 701 |
|
1 |
|a Перевалов
|b Т. В.
|g Тимофей Викторович
|
| 702 |
|
1 |
|a Асеев
|b А. Л.
|4 340
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Российская академия наук (РАН)
|b Сибирское отделение (СО)
|b Институт физики полупроводников (ИФП)
|c (Новосибирск)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\197
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20101213
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20130603
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
| 959 |
|
|
|a 91/20101213
|d 1
|e 0
|f ЧЗТЛ:1
|
