Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
| Autor principal: | Салтымаков М. С. Максим Сергеевич |
|---|---|
| Autor corporatiu: | Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Altres autors: | Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович (научный руководитель) |
| Sumari: | Заглавие с титульного экрана Электронная версия печатной публикации |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
Томск, 2010
|
| Matèries: | |
| Accés en línia: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2010/10.pdf |
| Format: | Electrònic Llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=180520 |
Ítems similars
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
per: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Publicat: (Томск, 2010)
per: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Publicat: (Томск, 2010)
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
per: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Publicat: (Томск, 2010)
per: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Publicat: (Томск, 2010)
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
per: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1978)
per: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1978)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
per: Ли Цзень Фень
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2006)
per: Ли Цзень Фень
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2006)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
per: Ли Цзень Фень
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2006)
per: Ли Цзень Фень
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2006)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
per: Ли Цзень Фень
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2006)
per: Ли Цзень Фень
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2006)
Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур: монография
per: Бычков А. А. Андрей Александрович
Publicat: (Москва, Русайнс, 2022)
per: Бычков А. А. Андрей Александрович
Publicat: (Москва, Русайнс, 2022)
Физико-химические условия устойчивости гетероструктур плёночных наночипов на основе нитрида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец.02.00.04
per: Комаровских Н. В. Нина Валерьевна
Publicat: (Барнаул, 2013)
per: Комаровских Н. В. Нина Валерьевна
Publicat: (Барнаул, 2013)
Полупроводниковые пленки и слоистые структуры
Publicat: (Киев, Наукова думка, 1977)
Publicat: (Киев, Наукова думка, 1977)
Процессы старения и окисления полупроводниковых пленок: учебное пособие для студентов
per: Миколайчук А. Г. Алексей Гордеевич
Publicat: (Львов, Вища школа, 1979)
per: Миколайчук А. Г. Алексей Гордеевич
Publicat: (Львов, Вища школа, 1979)
Осаждение тонких пленок из абляционной плазмы, генерируемой на мишени при воздействии мощного ионного пучка: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
per: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (Томск, 1998)
per: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (Томск, 1998)
Получение тонких пленок Nb3Sn методом магнетронного распыления; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
per: Савельев А. И.
Publicat: (2023)
per: Савельев А. И.
Publicat: (2023)
Осаждение тонких пленок из абляционной плазмы, генерируемой на мишени при воздействии мощного ионного пучка: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
per: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1998)
per: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1998)
Распыление меди импульсным мощным ионным пучком: структура и фазовый состав мишени и пленки; Физика и химия обработки материалов; № 1
Publicat: (2001)
Publicat: (2001)
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2010)
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2010)
Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
per: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
Publicat: (Томск, 2024)
per: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
Publicat: (Томск, 2024)
Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений
Publicat: (Москва, Наука, 1981)
Publicat: (Москва, Наука, 1981)
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2012)
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2012)
Полупроводниковые плёнки InP полученные методом импульсного ионного осаждения; Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники)
Publicat: (2007)
Publicat: (2007)
Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
per: Нишизава Дж.-И.
Publicat: (2003)
per: Нишизава Дж.-И.
Publicat: (2003)
Осаждение пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков
per: Осипов К. А. Кирилл Афанасьевич
Publicat: (Москва, Наука, 1973)
per: Осипов К. А. Кирилл Афанасьевич
Publicat: (Москва, Наука, 1973)
Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионным пучком; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах; [Ч. 1]
Publicat: (2008)
Publicat: (2008)
О магнитном поле, действующем на движущиеся доменные стенки в плёнках феррит-граната (Bi, Yb)3(Fe, Ga)5O12; Письма в Журнал технической физики; Т. 28, вып. 14
Publicat: (2002)
Publicat: (2002)
Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2014)
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2014)
Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы
per: Киреев В. Ю. Валерий Юрьевич
Publicat: (Москва, Техносфера, 2006)
per: Киреев В. Ю. Валерий Юрьевич
Publicat: (Москва, Техносфера, 2006)
Осаждение антифрикционных покрытий в плазме магнетронного разряда; Упрочняющие технологии и покрытия; № 4
Publicat: (2016)
Publicat: (2016)
Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2011)
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2011)
Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Publicat: (2009)
Publicat: (2009)
Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Publicat: (2011)
Publicat: (2011)
Генерация продольно-поляризованного пучка позитронов в гибридных мишенях; Физико-технические проблемы атомной науки, энергетики и промышленности
per: Нейман Д. А. Дмитрий Александрович
Publicat: (2014)
per: Нейман Д. А. Дмитрий Александрович
Publicat: (2014)
Технологические аспекты выделения LU-177 из иттербиевой мишени; Изотопы: технологии, материалы и применение
per: Ушаков И. А. Иван Алексеевич
Publicat: (2023)
per: Ушаков И. А. Иван Алексеевич
Publicat: (2023)
Анализ и опыт применения частотных преобразователей на линиях по производству полимерных рукавных плёнок; Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика; № 6
per: Сажин С. Г.
Publicat: (2003)
per: Сажин С. Г.
Publicat: (2003)
Тонкие ферромагнитные пленки: пер. с англ.
per: Праттон М.
Publicat: (Ленинград, Судостроение, 1967)
per: Праттон М.
Publicat: (Ленинград, Судостроение, 1967)
Реактивное осаждение пленок Al(2)O(3) с помощью дуальной МРС; Современные техника и технологии; Т. 3
per: Азина М. А.
Publicat: (2011)
per: Азина М. А.
Publicat: (2011)
Осаждение из газовой фазы: сокр. пер. с англ.
Publicat: (Москва, Атомиздат, 1970)
Publicat: (Москва, Атомиздат, 1970)
Осаждение TiN с помощью дуальной магнетронной распылительной системы; Современные техника и технологии; Т. 3
per: Тупикова О. С. Ольга Сергеевна
Publicat: (2011)
per: Тупикова О. С. Ольга Сергеевна
Publicat: (2011)
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publicat: (2011)
Publicat: (2011)
Оценка in vitro новых таргетных терапетических препаратов на основе affibody, нацеленных на рецептор HER-2; Химия и химическая технология в XXI веке; Т. 1
per: Боденко В. В. Виталина Васильевна
Publicat: (2023)
per: Боденко В. В. Виталина Васильевна
Publicat: (2023)
Повышение чувствительности регистрирующих материалов к жёсткому излучению и снижение времени их экспозиции в рентгенодефектоскопическом контроле; Техническая диагностика и неразрушающий контроль; № 2
Publicat: (2004)
Publicat: (2004)
Тонкие магнитные пленки: пер. с англ., нем.
Publicat: (Киев, Государственное издательство технической литературы УССР, 1963)
Publicat: (Киев, Государственное издательство технической литературы УССР, 1963)
Ítems similars
-
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
per: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Publicat: (Томск, 2010) -
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
per: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Publicat: (Томск, 2010) -
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
per: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1978) -
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
per: Ли Цзень Фень
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2006) -
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
per: Ли Цзень Фень
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2006)