Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07

Dettagli Bibliografici
Autore principale:	Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Ente Autore:	Томский политехнический университет (ТПУ)
Altri autori:	Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович (научный руководитель)
Riassunto:	Заглавие с титульного экрана Электронная версия печатной публикации
Lingua:	russo
Pubblicazione:	Томск, 2010
Soggetti:	Полупроводниковые пленки > Физико-химические свойства тонкие пленки осаждение ионное распыление сильноточные импульсные ускорители ионные диоды мишень воздействие поверхностный слой химический состав изменение свойства структура авторефераты диссертаций электронный ресурс труды учёных ТПУ
Accesso online:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2010/10.pdf
Natura:	Elettronico Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=180520

Accesso online