Салтымаков М. С. Максим Сергеевич & Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович. (2010). Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07. Томск, 2010.
Chicago Style (17th ed.) CitationСалтымаков М. С. Максим Сергеевич and Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович. Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07. Томск, 2010, 2010.
MLA (9th ed.) CitationСалтымаков М. С. Максим Сергеевич and Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович. Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07. Томск, 2010, 2010.