Салтымаков М. С. Максим Сергеевич & Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович. (2010). Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07. Томск, 2010.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Салтымаков М. С. Максим Сергеевич та Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович. Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07. Томск, 2010, 2010.
Стиль цитування MLA (9-ме видання)Салтымаков М. С. Максим Сергеевич та Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович. Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07. Томск, 2010, 2010.