• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avançada
  • Теория поглощения и испускания...
  • Citar
  • Enviar aquest missatge de text
  • Enviar per correu electrònic aquest
  • Imprimir
  • Exportar registre
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enllaç permanent
Теория поглощения и испускания света в полупроводниках

Теория поглощения и испускания света в полупроводниках

Dades bibliogràfiques
Autor principal: Грибковский В. П. Виктор Павлович
Idioma:rus
Publicat: Минск, Наука и техника, 1975
Matèries:
полупроводники
свет
поглощение
усиление
статистика электронов
экситоны
поляроны
люминесценция
полупроводниковые лазеры
мощность
характеристики
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=180507
  • Fons
  • Descripció
  • Ítems similars
  • Visualització del personal

Ítems similars

  • Спектроскопия и динамика возбуждений в конденсированных молекулярных системах
    Publicat: (Москва, Наука, 1987)
  • Квантово-статистическая теория твердых тел
    per: Прудников В. В.
    Publicat: (Санкт-Петербург, Лань, 2022)
  • Колебательные возбуждения, поляроны и экситоны в многослойных системах и сверхрешетках
    per: Покатилов Е. П. Евгений Петрович
    Publicat: (Кишинев, Штиинца, 1990)
  • Кинетика экситонов большой плотности в полупроводниках
    per: Руссу С. С. Спиридон Семенович
    Publicat: (Кишинев, Штиинца, 1986)
  • Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках
    per: Зырянов П. С. Павел Степанович
    Publicat: (Москва, Наука, 1976)