Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
| Главный автор: | Салтымаков М. С. Максим Сергеевич |
|---|---|
| Автор-организация: | Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Другие авторы: | Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович (научный руководитель) |
| Примечания: | Защищена 24.03.2010 г. |
| Язык: | русский |
| Опубликовано: |
Томск, 2010
|
| Предметы: | |
| Формат: | Книга |
| Запись в KOHA: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=179100 |
Схожие документы
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
по: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Опубликовано: (Томск, 2010)
по: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Опубликовано: (Томск, 2010)
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
по: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Опубликовано: (Томск, 2010)
по: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Опубликовано: (Томск, 2010)
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
по: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Опубликовано: (Новосибирск, Наука, 1978)
по: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Опубликовано: (Новосибирск, Наука, 1978)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
по: Ли Цзень Фень
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2006)
по: Ли Цзень Фень
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2006)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
по: Ли Цзень Фень
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2006)
по: Ли Цзень Фень
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2006)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
по: Ли Цзень Фень
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2006)
по: Ли Цзень Фень
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2006)
Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур: монография
по: Бычков А. А. Андрей Александрович
Опубликовано: (Москва, Русайнс, 2022)
по: Бычков А. А. Андрей Александрович
Опубликовано: (Москва, Русайнс, 2022)
Физико-химические условия устойчивости гетероструктур плёночных наночипов на основе нитрида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец.02.00.04
по: Комаровских Н. В. Нина Валерьевна
Опубликовано: (Барнаул, 2013)
по: Комаровских Н. В. Нина Валерьевна
Опубликовано: (Барнаул, 2013)
Полупроводниковые пленки и слоистые структуры
Опубликовано: (Киев, Наукова думка, 1977)
Опубликовано: (Киев, Наукова думка, 1977)
Процессы старения и окисления полупроводниковых пленок: учебное пособие для студентов
по: Миколайчук А. Г. Алексей Гордеевич
Опубликовано: (Львов, Вища школа, 1979)
по: Миколайчук А. Г. Алексей Гордеевич
Опубликовано: (Львов, Вища школа, 1979)
Осаждение тонких пленок из абляционной плазмы, генерируемой на мишени при воздействии мощного ионного пучка: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
Опубликовано: (Томск, 1998)
по: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
Опубликовано: (Томск, 1998)
Осаждение тонких пленок из абляционной плазмы, генерируемой на мишени при воздействии мощного ионного пучка: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 1998)
по: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 1998)
Получение тонких пленок Nb3Sn методом магнетронного распыления; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
по: Савельев А. И.
Опубликовано: (2023)
по: Савельев А. И.
Опубликовано: (2023)
Распыление меди импульсным мощным ионным пучком: структура и фазовый состав мишени и пленки; Физика и химия обработки материалов; № 1
Опубликовано: (2001)
Опубликовано: (2001)
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2010)
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2010)
Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
по: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
Опубликовано: (Томск, 2024)
по: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
Опубликовано: (Томск, 2024)
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2012)
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2012)
Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений
Опубликовано: (Москва, Наука, 1981)
Опубликовано: (Москва, Наука, 1981)
Полупроводниковые плёнки InP полученные методом импульсного ионного осаждения; Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники)
Опубликовано: (2007)
Опубликовано: (2007)
Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
по: Нишизава Дж.-И.
Опубликовано: (2003)
по: Нишизава Дж.-И.
Опубликовано: (2003)
Осаждение пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков
по: Осипов К. А. Кирилл Афанасьевич
Опубликовано: (Москва, Наука, 1973)
по: Осипов К. А. Кирилл Афанасьевич
Опубликовано: (Москва, Наука, 1973)
Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионным пучком; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах; [Ч. 1]
Опубликовано: (2008)
Опубликовано: (2008)
О магнитном поле, действующем на движущиеся доменные стенки в плёнках феррит-граната (Bi, Yb)3(Fe, Ga)5O12; Письма в Журнал технической физики; Т. 28, вып. 14
Опубликовано: (2002)
Опубликовано: (2002)
Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2014)
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2014)
Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы
по: Киреев В. Ю. Валерий Юрьевич
Опубликовано: (Москва, Техносфера, 2006)
по: Киреев В. Ю. Валерий Юрьевич
Опубликовано: (Москва, Техносфера, 2006)
Осаждение антифрикционных покрытий в плазме магнетронного разряда; Упрочняющие технологии и покрытия; № 4
Опубликовано: (2016)
Опубликовано: (2016)
Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2011)
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2011)
Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Опубликовано: (2009)
Опубликовано: (2009)
Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Опубликовано: (2011)
Опубликовано: (2011)
Технологические аспекты выделения LU-177 из иттербиевой мишени; Изотопы: технологии, материалы и применение
по: Ушаков И. А. Иван Алексеевич
Опубликовано: (2023)
по: Ушаков И. А. Иван Алексеевич
Опубликовано: (2023)
Генерация продольно-поляризованного пучка позитронов в гибридных мишенях; Физико-технические проблемы атомной науки, энергетики и промышленности
по: Нейман Д. А. Дмитрий Александрович
Опубликовано: (2014)
по: Нейман Д. А. Дмитрий Александрович
Опубликовано: (2014)
Реактивное осаждение пленок Al(2)O(3) с помощью дуальной МРС; Современные техника и технологии; Т. 3
по: Азина М. А.
Опубликовано: (2011)
по: Азина М. А.
Опубликовано: (2011)
Осаждение из газовой фазы: сокр. пер. с англ.
Опубликовано: (Москва, Атомиздат, 1970)
Опубликовано: (Москва, Атомиздат, 1970)
Тонкие ферромагнитные пленки: пер. с англ.
по: Праттон М.
Опубликовано: (Ленинград, Судостроение, 1967)
по: Праттон М.
Опубликовано: (Ленинград, Судостроение, 1967)
Анализ и опыт применения частотных преобразователей на линиях по производству полимерных рукавных плёнок; Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика; № 6
по: Сажин С. Г.
Опубликовано: (2003)
по: Сажин С. Г.
Опубликовано: (2003)
Осаждение TiN с помощью дуальной магнетронной распылительной системы; Современные техника и технологии; Т. 3
по: Тупикова О. С. Ольга Сергеевна
Опубликовано: (2011)
по: Тупикова О. С. Ольга Сергеевна
Опубликовано: (2011)
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Опубликовано: (2011)
Опубликовано: (2011)
Оценка in vitro новых таргетных терапетических препаратов на основе affibody, нацеленных на рецептор HER-2; Химия и химическая технология в XXI веке; Т. 1
по: Боденко В. В. Виталина Васильевна
Опубликовано: (2023)
по: Боденко В. В. Виталина Васильевна
Опубликовано: (2023)
Осаждение прозрачных электропроводящих покрытий на основе оксида олова; Физико-технические проблемы в науке, промышленности и медицине
по: Теменков В. С.
Опубликовано: (2016)
по: Теменков В. С.
Опубликовано: (2016)
Properties of low-e coatings on a polymer film with structure TiO2/ZnO:Ga/Ag/ZnO:Ga/TiO2 and TiO2/Cu/TiO2; Перспективы развития фундаментальных наук
по: Grenadyorov A. S.
Опубликовано: (2012)
по: Grenadyorov A. S.
Опубликовано: (2012)
Схожие документы
-
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
по: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Опубликовано: (Томск, 2010) -
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
по: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Опубликовано: (Томск, 2010) -
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
по: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Опубликовано: (Новосибирск, Наука, 1978) -
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
по: Ли Цзень Фень
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2006) -
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
по: Ли Цзень Фень
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2006)