Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
| প্রধান লেখক: | Салтымаков М. С. Максим Сергеевич |
|---|---|
| সংস্থা লেখক: | Томский политехнический университет (ТПУ) |
| অন্যান্য লেখক: | Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович (научный руководитель) |
| সংক্ষিপ্ত: | Защищена 24.03.2010 г. |
| ভাষা: | রুশ |
| প্রকাশিত: |
Томск, 2010
|
| বিষয়গুলি: | |
| বিন্যাস: | গ্রন্থ |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=179100 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
প্রকাশিত: (Томск, 2010)
অনুযায়ী: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
প্রকাশিত: (Томск, 2010)
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
প্রকাশিত: (Томск, 2010)
অনুযায়ী: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
প্রকাশিত: (Томск, 2010)
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
অনুযায়ী: Александров Л. Н. Леонид Наумович
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1978)
অনুযায়ী: Александров Л. Н. Леонид Наумович
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1978)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
অনুযায়ী: Ли Цзень Фень
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2006)
অনুযায়ী: Ли Цзень Фень
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2006)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
অনুযায়ী: Ли Цзень Фень
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2006)
অনুযায়ী: Ли Цзень Фень
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2006)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
অনুযায়ী: Ли Цзень Фень
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2006)
অনুযায়ী: Ли Цзень Фень
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2006)
Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур: монография
অনুযায়ী: Бычков А. А. Андрей Александрович
প্রকাশিত: (Москва, Русайнс, 2022)
অনুযায়ী: Бычков А. А. Андрей Александрович
প্রকাশিত: (Москва, Русайнс, 2022)
Физико-химические условия устойчивости гетероструктур плёночных наночипов на основе нитрида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец.02.00.04
অনুযায়ী: Комаровских Н. В. Нина Валерьевна
প্রকাশিত: (Барнаул, 2013)
অনুযায়ী: Комаровских Н. В. Нина Валерьевна
প্রকাশিত: (Барнаул, 2013)
Полупроводниковые плёнки InP полученные методом импульсного ионного осаждения; Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники)
প্রকাশিত: (2007)
প্রকাশিত: (2007)
Полупроводниковые пленки и слоистые структуры
প্রকাশিত: (Киев, Наукова думка, 1977)
প্রকাশিত: (Киев, Наукова думка, 1977)
Процессы старения и окисления полупроводниковых пленок: учебное пособие для студентов
অনুযায়ী: Миколайчук А. Г. Алексей Гордеевич
প্রকাশিত: (Львов, Вища школа, 1979)
অনুযায়ী: Миколайчук А. Г. Алексей Гордеевич
প্রকাশিত: (Львов, Вища школа, 1979)
Осаждение тонких пленок из абляционной плазмы, генерируемой на мишени при воздействии мощного ионного пучка: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
অনুযায়ী: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
প্রকাশিত: (Томск, 1998)
অনুযায়ী: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
প্রকাশিত: (Томск, 1998)
Осаждение тонких пленок из абляционной плазмы, генерируемой на мишени при воздействии мощного ионного пучка: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
অনুযায়ী: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1998)
অনুযায়ী: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1998)
Получение тонких пленок Nb3Sn методом магнетронного распыления; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
অনুযায়ী: Савельев А. И.
প্রকাশিত: (2023)
অনুযায়ী: Савельев А. И.
প্রকাশিত: (2023)
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2010)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2010)
Распыление меди импульсным мощным ионным пучком: структура и фазовый состав мишени и пленки; Физика и химия обработки материалов; № 1
প্রকাশিত: (2001)
প্রকাশিত: (2001)
Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
অনুযায়ী: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
প্রকাশিত: (Томск, 2024)
অনুযায়ী: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
প্রকাশিত: (Томск, 2024)
Т. 2; Взаимодействие ионов с поверхностью. ВИП-2003
প্রকাশিত: (2003)
প্রকাশিত: (2003)
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2012)
Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1981)
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1981)
Т. 1; Технология тонких пленок
প্রকাশিত: (1977)
প্রকাশিত: (1977)
Ч. III; Взаимодействие атомных частиц с твердым телом
প্রকাশিত: (1979)
প্রকাশিত: (1979)
Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
অনুযায়ী: Нишизава Дж.-И.
প্রকাশিত: (2003)
অনুযায়ী: Нишизава Дж.-И.
প্রকাশিত: (2003)
The Research of Diamond Coatings Morphology Evolution under the Action of Reactive Ion Etching in Perpendicular Direction; Key Engineering Materials; Vol. 712 : Advanced Materials for Technical and Medical Purpose (AMTMP 2016)
অনুযায়ী: Okhotnikov V. V. Vitaly Vladimirovich
প্রকাশিত: (2016)
অনুযায়ী: Okhotnikov V. V. Vitaly Vladimirovich
প্রকাশিত: (2016)
Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионным пучком; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах; [Ч. 1]
প্রকাশিত: (2008)
প্রকাশিত: (2008)
Осаждение пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков
অনুযায়ী: Осипов К. А. Кирилл Афанасьевич
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1973)
অনুযায়ী: Осипов К. А. Кирилл Афанасьевич
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1973)
Физическая электроника. Развитие технических наук в республике и использование их результатов: тезисы докладов конференции, Каунас, 30 января - 4 февраля 1978 г.
প্রকাশিত: (Каунас, Изд-во КПИ, 1978)
প্রকাশিত: (Каунас, Изд-во КПИ, 1978)
Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
প্রকাশিত: (2007)
প্রকাশিত: (2007)
Исследование реактивно распыленных диэлектрических пленок в МДП-структурах: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
অনুযায়ী: Шандра З. А.
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1972)
অনুযায়ী: Шандра З. А.
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1972)
О магнитном поле, действующем на движущиеся доменные стенки в плёнках феррит-граната (Bi, Yb)3(Fe, Ga)5O12; Письма в Журнал технической физики; Т. 28, вып. 14
প্রকাশিত: (2002)
প্রকাশিত: (2002)
Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2014)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2014)
Comparison Study on the Properties of the CaP Coatings Formed by RF-magnetron Sputtering of the Mg- and Sr-substituted [beta]-tricalcium Phosphate and Hydroxyapatite; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online)
প্রকাশিত: (2020)
প্রকাশিত: (2020)
Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы
অনুযায়ী: Киреев В. Ю. Валерий Юрьевич
প্রকাশিত: (Москва, Техносфера, 2006)
অনুযায়ী: Киреев В. Ю. Валерий Юрьевич
প্রকাশিত: (Москва, Техносфера, 2006)
Осаждение антифрикционных покрытий в плазме магнетронного разряда; Упрочняющие технологии и покрытия; № 4
প্রকাশিত: (2016)
প্রকাশিত: (2016)
Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2011)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2011)
Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
প্রকাশিত: (2009)
প্রকাশিত: (2009)
Формирование функциональных слоев учебное пособие
অনুযায়ী: Панфилов Ю. В.
প্রকাশিত: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2020)
অনুযায়ী: Панфилов Ю. В.
প্রকাশিত: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2020)
Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
প্রকাশিত: (2011)
প্রকাশিত: (2011)
Генерация продольно-поляризованного пучка позитронов в гибридных мишенях; Физико-технические проблемы атомной науки, энергетики и промышленности
অনুযায়ী: Нейман Д. А. Дмитрий Александрович
প্রকাশিত: (2014)
অনুযায়ী: Нейман Д. А. Дмитрий Александрович
প্রকাশিত: (2014)
Технологические аспекты выделения LU-177 из иттербиевой мишени; Изотопы: технологии, материалы и применение
অনুযায়ী: Ушаков И. А. Иван Алексеевич
প্রকাশিত: (2023)
অনুযায়ী: Ушаков И. А. Иван Алексеевич
প্রকাশিত: (2023)
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
প্রকাশিত: (Томск, 2010) -
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
প্রকাশিত: (Томск, 2010) -
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
অনুযায়ী: Александров Л. Н. Леонид Наумович
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1978) -
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
অনুযায়ী: Ли Цзень Фень
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2006) -
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
অনুযায়ী: Ли Цзень Фень
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2006)