Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07

מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי:	Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
מחבר תאגידי:	Томский политехнический университет (ТПУ)
מחברים אחרים:	Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович (научный руководитель)
סיכום:	Защищена 24.03.2010 г.
שפה:	רוסית
יצא לאור:	Томск, 2010
נושאים:	Полупроводниковые пленки > Физико-химические свойства тонкие пленки осаждение ионное распыление сильноточные импульсные ускорители ионные диоды мишень воздействие поверхностный слой химический состав изменение свойства структура диссертации
פורמט:	ספר
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=179100

תיאור
תיאור פיזי:	102 л. ил.
סיכום:	Защищена 24.03.2010 г.

פריטים דומים