Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
मुख्य लेखक: | Салтымаков М. С. Максим Сергеевич |
---|---|
अन्य लेखक: | Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович (727) |
सारांश: | Защита сост. 24.03.2010 г. |
भाषा: | रूसी |
प्रकाशित: |
Томск, 2010
|
विषय: | |
स्वरूप: | पुस्तक |
KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=179099 |
समान संसाधन
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
द्वारा: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
प्रकाशित: (Томск, 2010)
द्वारा: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
प्रकाशित: (Томск, 2010)
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
द्वारा: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
प्रकाशित: (Томск, 2010)
द्वारा: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
प्रकाशित: (Томск, 2010)
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
द्वारा: Александров Л. Н. Леонид Наумович
प्रकाशित: (Новосибирск, Наука, 1978)
द्वारा: Александров Л. Н. Леонид Наумович
प्रकाशित: (Новосибирск, Наука, 1978)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
द्वारा: Ли Цзень Фень
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2006)
द्वारा: Ли Цзень Фень
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2006)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.09.02 спец. 01.04.04
द्वारा: Ли Цзень Фень
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2006)
द्वारा: Ли Цзень Фень
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2006)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.09.02 спец. 01.04.04
द्वारा: Ли Цзень Фень
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2006)
द्वारा: Ли Цзень Фень
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2006)
Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур монография
द्वारा: Бычков А. А. Андрей Александрович
प्रकाशित: (Москва, Русайнс, 2022)
द्वारा: Бычков А. А. Андрей Александрович
प्रकाशित: (Москва, Русайнс, 2022)
Физико-химические условия устойчивости гетероструктур плёночных наночипов на основе нитрида галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец.02.00.04
द्वारा: Комаровских Н. В. Нина Валерьевна
प्रकाशित: (Барнаул, 2013)
द्वारा: Комаровских Н. В. Нина Валерьевна
प्रकाशित: (Барнаул, 2013)
Полупроводниковые плёнки InP полученные методом импульсного ионного осаждения
प्रकाशित: (2007)
प्रकाशित: (2007)
Процессы старения и окисления полупроводниковых пленок учебное пособие для студентов
द्वारा: Миколайчук А. Г. Алексей Гордеевич
प्रकाशित: (Львов, Вища школа, 1979)
द्वारा: Миколайчук А. Г. Алексей Гордеевич
प्रकाशित: (Львов, Вища школа, 1979)
Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного GaAs, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионнм пучком
प्रकाशित: (2008)
प्रकाशित: (2008)
Осаждение тонких пленок из абляционной плазмы, генерируемой на мишени при воздействии мощного ионного пучка диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
द्वारा: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
प्रकाशित: (Томск, 1998)
द्वारा: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
प्रकाशित: (Томск, 1998)
Осаждение тонких пленок из абляционной плазмы, генерируемой на мишени при воздействии мощного ионного пучка автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
द्वारा: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 1998)
द्वारा: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 1998)
Получение тонких пленок Nb3Sn методом магнетронного распыления
द्वारा: Савельев А. И.
प्रकाशित: (2023)
द्वारा: Савельев А. И.
प्रकाशित: (2023)
Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
द्वारा: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
प्रकाशित: (Томск, 2024)
द्वारा: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
प्रकाशित: (Томск, 2024)
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
द्वारा: Кабышев А. В. Александр Васильевич
प्रकाशित: (2010)
द्वारा: Кабышев А. В. Александр Васильевич
प्रकाशित: (2010)
Распыление меди импульсным мощным ионным пучком: структура и фазовый состав мишени и пленки
प्रकाशित: (2001)
प्रकाशित: (2001)
Т. 2
प्रकाशित: (2003)
प्रकाशित: (2003)
Т. 1
प्रकाशित: (1977)
प्रकाशित: (1977)
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
द्वारा: Кабышев А. В. Александр Васильевич
प्रकाशित: (2012)
द्वारा: Кабышев А. В. Александр Васильевич
प्रकाशित: (2012)
Ч. III
प्रकाशित: (1979)
प्रकाशित: (1979)
Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1981)
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1981)
Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов
द्वारा: Нишизава Дж.-И.
प्रकाशित: (2003)
द्वारा: Нишизава Дж.-И.
प्रकाशित: (2003)
Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионным пучком
प्रकाशित: (2008)
प्रकाशित: (2008)
Оптические свойства пленок арсенида галлия, осажденных на диэлектрики из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком
प्रकाशित: (2010)
प्रकाशित: (2010)
The Research of Diamond Coatings Morphology Evolution under the Action of Reactive Ion Etching in Perpendicular Direction
द्वारा: Okhotnikov V. V. Vitaly Vladimirovich
प्रकाशित: (2016)
द्वारा: Okhotnikov V. V. Vitaly Vladimirovich
प्रकाशित: (2016)
Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка
प्रकाशित: (2007)
प्रकाशित: (2007)
Физическая электроника. Развитие технических наук в республике и использование их результатов тезисы докладов конференции, Каунас, 30 января - 4 февраля 1978 г.
प्रकाशित: (Каунас, Изд-во КПИ, 1978)
प्रकाशित: (Каунас, Изд-во КПИ, 1978)
Осаждение пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков
द्वारा: Осипов К. А. Кирилл Афанасьевич
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1973)
द्वारा: Осипов К. А. Кирилл Афанасьевич
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1973)
Исследование реактивно распыленных диэлектрических пленок в МДП-структурах диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
द्वारा: Шандра З. А.
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 1972)
द्वारा: Шандра З. А.
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 1972)
Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы
द्वारा: Кабышев А. В. Александр Васильевич
प्रकाशित: (2014)
द्वारा: Кабышев А. В. Александр Васильевич
प्रकाशित: (2014)
О магнитном поле, действующем на движущиеся доменные стенки в плёнках феррит-граната (Bi, Yb)3(Fe, Ga)5O12
प्रकाशित: (2002)
प्रकाशित: (2002)
Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией
द्वारा: Кабышев А. В. Александр Васильевич
प्रकाशित: (2011)
द्वारा: Кабышев А. В. Александр Васильевич
प्रकाशित: (2011)
Comparison Study on the Properties of the CaP Coatings Formed by RF-magnetron Sputtering of the Mg- and Sr-substituted [beta]-tricalcium Phosphate and Hydroxyapatite
प्रकाशित: (2020)
प्रकाशित: (2020)
Осаждение антифрикционных покрытий в плазме магнетронного разряда
प्रकाशित: (2016)
प्रकाशित: (2016)
Повышение стойкости инструмента ионным азотированием
द्वारा: Яковлев А. В.
प्रकाशित: (2010)
द्वारा: Яковлев А. В.
प्रकाशित: (2010)
Формирование функциональных слоев учебное пособие
द्वारा: Панфилов Ю. В.
प्रकाशित: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2020)
द्वारा: Панфилов Ю. В.
प्रकाशित: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2020)
Осаждение TiN с помощью дуальной магнетронной распылительной системы
द्वारा: Тупикова О. С. Ольга Сергеевна
प्रकाशित: (2011)
द्वारा: Тупикова О. С. Ольга Сергеевна
प्रकाशित: (2011)
Реактивное осаждение пленок Al(2)O(3) с помощью дуальной МРС
द्वारा: Азина М. А.
प्रकाशित: (2011)
द्वारा: Азина М. А.
प्रकाशित: (2011)
Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства
प्रकाशित: (2009)
प्रकाशित: (2009)
समान संसाधन
-
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
द्वारा: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
प्रकाशित: (Томск, 2010) -
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
द्वारा: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
प्रकाशित: (Томск, 2010) -
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
द्वारा: Александров Л. Н. Леонид Наумович
प्रकाशित: (Новосибирск, Наука, 1978) -
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
द्वारा: Ли Цзень Фень
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2006) -
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.09.02 спец. 01.04.04
द्वारा: Ли Цзень Фень
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2006)