Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
|a Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком
|e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
|e спец. 01.04.07
|f М. С. Салтымаков
|g Томский политехнический университет (ТПУ) ; науч. рук. Г. Е. Ремнев
210
|a Томск
|d 2010
215
|a 18 с.
|c ил.
300
|a Защита сост. 24.03.2010 г.
320
|a Библиогр.: с. 17-18 (14 назв.).
452
1
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\195692
|t Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком
|o автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
|o спец. 01.04.07
|f М. С. Салтымаков
|g Томский политехнический университет (ТПУ) ; науч. рук. Г. Е. Ремнев
|c Томск
|d 2010
|a Салтымаков, Максим Сергеевич
|a Салтымаков
|b М. С.
|c физик
|c младший научный сотрудник Томского политехнического университета
|f 1982-
|g Максим Сергеевич
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30452
702
1
|a Ремнев
|b Г. Е.
|c физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук
|f 1948-
|g Геннадий Ефимович
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22004
|4 727