Салтымаков М. С. Максим Сергеевич & Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович. (2010). Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07. Томск, 2010.
Cita Chicago (17th ed.)Салтымаков М. С. Максим Сергеевич i Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович. Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07. Томск, 2010, 2010.
Cita MLA (9th ed.)Салтымаков М. С. Максим Сергеевич i Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович. Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07. Томск, 2010, 2010.