• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Advanced
  • Контроль параметров полупровод...
  • Cite this
  • Text this
  • Email this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев

Bibliographic Details
Main Author: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Published: Москва, Советское радио, 1976
Series:Массовая библиотека инженера "Электроника"
Subjects:
полупроводники
эпитаксиальные слои
параметры
измерение
контроль
примеси
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=176743
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Similar Items

  • Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
    by: Харченко В. В. Валерий Владимирович
    Published: (Ташкент, Фан, 1979)
  • Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах [монография]
    by: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
    Published: (Ленинград, Наука, 1978)
  • Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
    Published: (2015)
  • Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
    by: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
    Published: (Москва, Энергия, 1974)
  • Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3
    by: Сычева А. В.
    Published: (2014)