Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа AIIIBV; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 313, № 3: Химия. Физика
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 313, № 3: Химия. Физика.— 2008.— [С. 25-30] |
|---|---|
| Huvudupphovsman: | |
| Övriga upphovsmän: | |
| Sammanfattning: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации На примере арсенида галлия рассмотрен возможный механизм формирования, состав и строение поверхностного фазового и приповерхностного нарушенного кристаллического слоев полупроводниковых соединений в зависимости от величины электродного потенциала и pH водной системы. На основе учета степени отклонения от стехиометрического состава (области гомогенности) соединения и диффузионных представлений впервые проведена оценка толщины приповерхностного слоя в связи с условиями химической обработки материала. |
| Språk: | ryska |
| Publicerad: |
2008
|
| Serie: | Химия |
| Ämnen: | |
| Länkar: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2008/v313/i3/04.pdf |
| Materialtyp: | Elektronisk Bokavsnitt |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=173544 |