Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа AIIIBV
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 313, № 3: Химия. Физика.— 2008.— [С. 25-30] |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Summary: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации На примере арсенида галлия рассмотрен возможный механизм формирования, состав и строение поверхностного фазового и приповерхностного нарушенного кристаллического слоев полупроводниковых соединений в зависимости от величины электродного потенциала и pH водной системы. На основе учета степени отклонения от стехиометрического состава (области гомогенности) соединения и диффузионных представлений впервые проведена оценка толщины приповерхностного слоя в связи с условиями химической обработки материала. |
| Published: |
2008
|
| Series: | Химия |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2008/v313/i3/04.pdf |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=173544 |