Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа AIIIBV; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 313, № 3: Химия. Физика
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 313, № 3: Химия. Физика.— 2008.— [С. 25-30] |
|---|---|
| Päätekijä: | |
| Muut tekijät: | |
| Yhteenveto: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации На примере арсенида галлия рассмотрен возможный механизм формирования, состав и строение поверхностного фазового и приповерхностного нарушенного кристаллического слоев полупроводниковых соединений в зависимости от величины электродного потенциала и pH водной системы. На основе учета степени отклонения от стехиометрического состава (области гомогенности) соединения и диффузионных представлений впервые проведена оценка толщины приповерхностного слоя в связи с условиями химической обработки материала. |
| Kieli: | venäjä |
| Julkaistu: |
2008
|
| Sarja: | Химия |
| Aiheet: | |
| Linkit: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2008/v313/i3/04.pdf |
| Aineistotyyppi: | Elektroninen Kirjan osa |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=173544 |
MARC
| LEADER | 00000nla2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 173544 | ||
| 005 | 20231220120237.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\book\188225 | ||
| 035 | |a RU\TPU\book\188223 | ||
| 090 | |a 173544 | ||
| 100 | |a 20091228d2008 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drnn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа AIIIBV |f Г. М. Мокроусов, О. Н. Зарубина | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 215 | |a 1 файл (449 Кб) | ||
| 225 | 1 | |a Химия | |
| 300 | |a Заглавие с титульного листа | ||
| 300 | |a Электронная версия печатной публикации | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 30 (16 назв.)] | ||
| 330 | |a На примере арсенида галлия рассмотрен возможный механизм формирования, состав и строение поверхностного фазового и приповерхностного нарушенного кристаллического слоев полупроводниковых соединений в зависимости от величины электродного потенциала и pH водной системы. На основе учета степени отклонения от стехиометрического состава (области гомогенности) соединения и диффузионных представлений впервые проведена оценка толщины приповерхностного слоя в связи с условиями химической обработки материала. | ||
| 337 | |a Adobe Reader | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176237 |t Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] |f Томский политехнический университет (ТПУ) |d 2000- | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\188221 |x 1684-8519 |t Т. 313, № 3: Химия. Физика |v [С. 25-30] |d 2008 |p 133 с. | |
| 610 | 1 | |a поверхностные слои | |
| 610 | 1 | |a приповерхностные слои | |
| 610 | 1 | |a полупроводники | |
| 610 | 1 | |a арсенид галлия | |
| 610 | 1 | |a фазовые слои | |
| 610 | 1 | |a кристаллические слои | |
| 610 | 1 | |a полупроводниковые соединения | |
| 610 | 1 | |a электродные потенциалы | |
| 610 | 1 | |a водные системы | |
| 610 | 1 | |a стехиометрический состав | |
| 610 | 1 | |a гомогенность | |
| 610 | 1 | |a соединения | |
| 610 | 1 | |a химическая обработка | |
| 610 | 1 | |a материалы | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 700 | 1 | |a Мокроусов |b Г. М. | |
| 701 | 1 | |a Зарубина |b О. Н. |c специалист в области нефтегазового дела |c доцент Томского политехнического университета, кандидат химических наук |f 1981- |g Оксана Николаевна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34919 |9 18237 | |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20090623 |g PSBO | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20211207 |g PSBO | |
| 856 | 4 | |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2008/v313/i3/04.pdf | |
| 942 | |c CF | ||