Оценка надежности типичного транзистора в условиях окисления металла; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 312, № 4 : Энергетика
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 312, № 4 : Энергетика.— 2008.— [С. 135-140] |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Otros Autores: | , |
| Sumario: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Проведено численное моделирование нестационарного двумерного температурного поля токоведущей дорожки полупроводникового прибора для двух случаев работы типичного силового транзистора: в условиях окисления проводника кислородом воздуха, и без протекания процесса окисления металла. Сопоставлены интенсивности отказов транзистора для этих двух случаев. Показано, что изменение интенсивности отказов в условиях окисления составляет не менее 50 %. Установлено, что при оценке показателей надежности приборов необходимо проводить анализ с учетом процесса окисления металла. |
| Lenguaje: | ruso |
| Publicado: |
2008
|
| Colección: | Энергетика |
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2008/v312/i4/30.pdf |
| Formato: | Electrónico Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=173248 |
MARC
| LEADER | 00000nla2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 173248 | ||
| 005 | 20240117120712.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\book\187908 | ||
| 035 | |a RU\TPU\book\187902 | ||
| 090 | |a 173248 | ||
| 100 | |a 20091222d2008 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drnn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Оценка надежности типичного транзистора в условиях окисления металла |f Г. В. Кузнецов, Г. Я. Мамонтов, А. В. Титов | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 215 | |a 1 файл (495 Кб) | ||
| 225 | 1 | |a Энергетика | |
| 300 | |a Заглавие с титульного листа | ||
| 300 | |a Электронная версия печатной публикации | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 140 (8 назв.)] | ||
| 330 | |a Проведено численное моделирование нестационарного двумерного температурного поля токоведущей дорожки полупроводникового прибора для двух случаев работы типичного силового транзистора: в условиях окисления проводника кислородом воздуха, и без протекания процесса окисления металла. Сопоставлены интенсивности отказов транзистора для этих двух случаев. Показано, что изменение интенсивности отказов в условиях окисления составляет не менее 50 %. Установлено, что при оценке показателей надежности приборов необходимо проводить анализ с учетом процесса окисления металла. | ||
| 337 | |a Adobe Reader | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176237 |t Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] |f Томский политехнический университет (ТПУ) |d 2000- | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\187859 |t Т. 312, № 4 : Энергетика |v [С. 135-140] |d 2008 |p 153 с. | |
| 610 | 1 | |a транзисторы | |
| 610 | 1 | |a окисление | |
| 610 | 1 | |a металлы | |
| 610 | 1 | |a численное моделирование | |
| 610 | 1 | |a температурные поля | |
| 610 | 1 | |a полупроводниковые приборы | |
| 610 | 1 | |a проводники | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 700 | 1 | |a Кузнецов |b Г. В. |c специалист в области теплоэнергетики |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1949- |g Гений Владимирович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25528 |9 11458 | |
| 701 | 1 | |a Мамонтов |b Г. Я. |c математик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1945- |g Геннадий Яковлевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\35352 | |
| 701 | 1 | |a Титов |b А. В. |c специалист в области теплоэнергетики |c инженер Томского политехнического университета |f 1982- |g Александр Валерьевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\29343 | |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20090623 |g PSBO | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20211118 |g PSBO | |
| 856 | 4 | |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2008/v312/i4/30.pdf | |
| 942 | |c CF | ||