Оценка надежности типичного транзистора в условиях окисления металла

Bibliographische Detailangaben
Parent link:Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000-
Т. 312, № 4 : Энергетика.— 2008.— [С. 135-140]
1. Verfasser: Кузнецов Г. В. Гений Владимирович
Weitere Verfasser: Мамонтов Г. Я. Геннадий Яковлевич, Титов А. В. Александр Валерьевич
Zusammenfassung:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
Проведено численное моделирование нестационарного двумерного температурного поля токоведущей дорожки полупроводникового прибора для двух случаев работы типичного силового транзистора: в условиях окисления проводника кислородом воздуха, и без протекания процесса окисления металла. Сопоставлены интенсивности отказов транзистора для этих двух случаев. Показано, что изменение интенсивности отказов в условиях окисления составляет не менее 50 %. Установлено, что при оценке показателей надежности приборов необходимо проводить анализ с учетом процесса окисления металла.
Veröffentlicht: 2008
Schriftenreihe:Энергетика
Schlagworte:
Online-Zugang:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2008/v312/i4/30.pdf
Format: Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=173248
Beschreibung
Beschreibung:1 файл (495 Кб)
Zusammenfassung:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
Проведено численное моделирование нестационарного двумерного температурного поля токоведущей дорожки полупроводникового прибора для двух случаев работы типичного силового транзистора: в условиях окисления проводника кислородом воздуха, и без протекания процесса окисления металла. Сопоставлены интенсивности отказов транзистора для этих двух случаев. Показано, что изменение интенсивности отказов в условиях окисления составляет не менее 50 %. Установлено, что при оценке показателей надежности приборов необходимо проводить анализ с учетом процесса окисления металла.