Оптимизация предельных режимов стримерного полупроводникового лазера; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 310, № 1

Podrobná bibliografie
Parent link:	Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 310, № 1.— 2007.— [С. 82-86]
Hlavní autor:	Паращук В. В.
Další autoři:	Русаков К. И., Джаббаров Р. Б.
Shrnutí:	Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Исследовано влияние интенсивных электрического и оптического полей, создаваемых стримерным разрядом в широкозонных полупроводниках, на их спектроскопические свойства. Данный эффект проявляется в возникновении обратимой перестройки люминесцентных характеристик активной среды. Предложены методы существенного повышения срока службы и эффективности стримерного лазера при предельных режимах, основанные на использовании полупроводниковых защитных слоев определенной кристаллографической ориентации и кристаллического микрорельефа с размером элементов порядка длины волны света. Обнаружено и изучено стримерное свечение в новых перспективных соединениях CaGa2S4:Eu, Ca4Ga2S7:Eu.
Jazyk:	ruština
Vydáno:	2007
Edice:	Математика и механика. Физика
Témata:	оптимизация предельные режимы стримерные лазеры полупроводниковые лазеры электрические поля оптические поля стримерные разряды широкозонные полупроводники спектроскопические свойства перестройка люминесцентные характеристики активные среды сроки службы защитные слои полупроводниковые слои кристаллографическая ориентация кристаллический микрорельеф длина волны свет стримерное свечение соединения электронный ресурс
On-line přístup:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2007/v310/i1/19.pdf
Médium:	Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=171966