Оптимизация предельных режимов стримерного полупроводникового лазера; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 310, № 1
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 310, № 1.— 2007.— [С. 82-86] |
|---|---|
| Egile nagusia: | |
| Beste egile batzuk: | , |
| Gaia: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Исследовано влияние интенсивных электрического и оптического полей, создаваемых стримерным разрядом в широкозонных полупроводниках, на их спектроскопические свойства. Данный эффект проявляется в возникновении обратимой перестройки люминесцентных характеристик активной среды. Предложены методы существенного повышения срока службы и эффективности стримерного лазера при предельных режимах, основанные на использовании полупроводниковых защитных слоев определенной кристаллографической ориентации и кристаллического микрорельефа с размером элементов порядка длины волны света. Обнаружено и изучено стримерное свечение в новых перспективных соединениях CaGa2S4:Eu, Ca4Ga2S7:Eu. |
| Hizkuntza: | errusiera |
| Argitaratua: |
2007
|
| Saila: | Математика и механика. Физика |
| Gaiak: | |
| Sarrera elektronikoa: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2007/v310/i1/19.pdf |
| Formatua: | Baliabide elektronikoa Liburu kapitulua |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=171966 |