Оптимизация предельных режимов стримерного полупроводникового лазера; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 310, № 1

Detalles Bibliográficos
Parent link:Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000-
Т. 310, № 1.— 2007.— [С. 82-86]
Autor Principal: Паращук В. В.
Outros autores: Русаков К. И., Джаббаров Р. Б.
Summary:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
Исследовано влияние интенсивных электрического и оптического полей, создаваемых стримерным разрядом в широкозонных полупроводниках, на их спектроскопические свойства. Данный эффект проявляется в возникновении обратимой перестройки люминесцентных характеристик активной среды. Предложены методы существенного повышения срока службы и эффективности стримерного лазера при предельных режимах, основанные на использовании полупроводниковых защитных слоев определенной кристаллографической ориентации и кристаллического микрорельефа с размером элементов порядка длины волны света. Обнаружено и изучено стримерное свечение в новых перспективных соединениях CaGa2S4:Eu, Ca4Ga2S7:Eu.
Idioma:ruso
Publicado: 2007
Series:Математика и механика. Физика
Subjects:
Acceso en liña:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2007/v310/i1/19.pdf
Formato: Electrónico Capítulo de libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=171966

MARC

LEADER 00000nla2a2200000 4500
001 171966
005 20231031164151.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\186439 
035 |a RU\TPU\book\186429 
090 |a 171966 
100 |a 20091209d2007 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drnn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Оптимизация предельных режимов стримерного полупроводникового лазера  |b Электронный ресурс  |f В. В. Паращук, К. И. Русаков, Р. Б. Джаббаров 
203 |a Текст  |c электронный 
215 |a 1 файл (323 Кб) 
225 1 |a Математика и механика. Физика 
230 |a Электронные текстовые данные (1 файл : 323 Кб) 
300 |a Заглавие с титульного листа 
300 |a Электронная версия печатной публикации 
320 |a [Библиогр.: с. 86 (11 назв.)] 
330 |a Исследовано влияние интенсивных электрического и оптического полей, создаваемых стримерным разрядом в широкозонных полупроводниках, на их спектроскопические свойства. Данный эффект проявляется в возникновении обратимой перестройки люминесцентных характеристик активной среды. Предложены методы существенного повышения срока службы и эффективности стримерного лазера при предельных режимах, основанные на использовании полупроводниковых защитных слоев определенной кристаллографической ориентации и кристаллического микрорельефа с размером элементов порядка длины волны света. Обнаружено и изучено стримерное свечение в новых перспективных соединениях CaGa2S4:Eu, Ca4Ga2S7:Eu. 
337 |a Adobe Reader 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176237  |t Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]  |f Томский политехнический университет (ТПУ)  |d 2000- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\186414  |x 1684-8519  |t Т. 310, № 1  |v [С. 82-86]  |d 2007  |p 309 с. 
610 1 |a оптимизация 
610 1 |a предельные режимы 
610 1 |a стримерные лазеры 
610 1 |a полупроводниковые лазеры 
610 1 |a электрические поля 
610 1 |a оптические поля 
610 1 |a стримерные разряды 
610 1 |a широкозонные полупроводники 
610 1 |a спектроскопические свойства 
610 1 |a перестройка 
610 1 |a люминесцентные характеристики 
610 1 |a активные среды 
610 1 |a сроки службы 
610 1 |a защитные слои 
610 1 |a полупроводниковые слои 
610 1 |a кристаллографическая ориентация 
610 1 |a кристаллический микрорельеф 
610 1 |a длина волны 
610 1 |a свет 
610 1 |a стримерное свечение 
610 1 |a соединения 
610 1 |a электронный ресурс 
700 1 |a Паращук  |b В. В. 
701 1 |a Русаков  |b К. И. 
701 1 |a Джаббаров  |b Р. Б. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20090623  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20211115  |g PSBO 
856 4 |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2007/v310/i1/19.pdf 
942 |c CF