Автоматизированный комплекс для исследования полупроводниковых структур; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 309, № 8

מידע ביבליוגרפי
Parent link:Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000-
Т. 309, № 8.— 2006.— [С. 42-46]
מחברים אחרים: Давыдов В. Н., Троян П. Е., Зайцев Н. Г., Беляев С. В.
סיכום:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
Разработан автоматизированный комплекс для исследования свойств полупроводниковых структур, позволяющий измерять широкий набор их электрофизических и фотоэлектрических характеристик за счет применения доработанных авторами измерительных методик, схемотехнических и конструкторско-технологических решений. По сравнению с известными аналогами комплекс позволяет измерять более широкий набор параметров структур с более высокой точностью. При этом повышена долговременная стабильность измерений и независимость результатов измерений от температуры и влажности окружающей среды.
שפה:רוסית
יצא לאור: 2006
סדרה:Технические науки
נושאים:
גישה מקוונת:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2006/v309/i8/09.pdf
פורמט: אלקטרוני Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=171865

MARC

LEADER 00000nla2a2200000 4500
001 171865
005 20231031164139.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\186338 
035 |a RU\TPU\book\186337 
090 |a 171865 
100 |a 20091209d2006 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drnn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Автоматизированный комплекс для исследования полупроводниковых структур  |b Электронный ресурс  |f В. Н. Давыдов [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный 
215 |a 1 файл (6.8 Мб) 
225 1 |a Технические науки 
230 |a Электронные текстовые данные (1 файл : 6.8 Мб) 
300 |a Заглавие с титульного листа 
300 |a Электронная версия печатной публикации 
320 |a [Библиогр.: с. 46 (5 назв.)] 
330 |a Разработан автоматизированный комплекс для исследования свойств полупроводниковых структур, позволяющий измерять широкий набор их электрофизических и фотоэлектрических характеристик за счет применения доработанных авторами измерительных методик, схемотехнических и конструкторско-технологических решений. По сравнению с известными аналогами комплекс позволяет измерять более широкий набор параметров структур с более высокой точностью. При этом повышена долговременная стабильность измерений и независимость результатов измерений от температуры и влажности окружающей среды. 
337 |a Adobe Reader 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176237  |t Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]  |f Томский политехнический университет (ТПУ)  |d 2000- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\186329  |x 1684-8519  |t Т. 309, № 8  |v [С. 42-46]  |d 2006  |p 293 с. 
610 1 |a автоматизированные комплексы 
610 1 |a исследования 
610 1 |a полупроводниковые структуры 
610 1 |a свойства 
610 1 |a электрофизические характеристики 
610 1 |a фотоэлектрические характеристики 
610 1 |a измерительные методики 
610 1 |a схемотехнические решения 
610 1 |a конструкторско-технологические решения 
610 1 |a аналоги 
610 1 |a параметры 
610 1 |a температура 
610 1 |a влажность 
610 1 |a окружающая среда 
610 1 |a электронный ресурс 
701 1 |a Давыдов  |b В. Н. 
701 1 |a Троян  |b П. Е. 
701 1 |a Зайцев  |b Н. Г. 
701 1 |a Беляев  |b С. В. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20090623  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20211115  |g PSBO 
856 4 |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2006/v309/i8/09.pdf 
942 |c CF