Релаксация тока в наноразмерных пленках оксида вольфрама (VI); Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 309, № 3

Bibliografiske detaljer
Parent link:Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000-
Т. 309, № 3.— 2006.— [С. 102-106]
Andre forfattere: Бин С. В., Борисова Н. В., Суровой Э. П., Титов И. В.
Summary:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
В диапазоне внешних напряжений +-10 В независимо от толщины пленок WO[3] (20…100 нм), времени выдержки образцов в атмосферных условиях (2…180 ч), материала подложки (фторопласт 4, стекло ГОСТ 9284 - 59) на кинетических кривых тока релаксации систем Cu - WO[3] - Cu проявляются три участка: резкое возрастание тока (начальный максимум), участок уменьшения тока и стационарный участок, а также отсутствует запасание энергии в системах Cu - WO[3] - Cu. Обнаружено аномальное увеличение стационарного тока при толщине пленок WO[3] ≈35 нм. Установлено влияние материала подложки (стекло, фторопласт 4) на кинетические закономерности тока релаксации в системах Cu - WO[3] - Cu. В результате постпроцессов релаксация систем Cu - WO[3] - Cu на стеклянных носителях завершается через ~48 ч, а на фторопластовых - через ~180 ч.
Sprog:russisk
Udgivet: 2006
Serier:Технические науки
Fag:
Online adgang:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2006/v309/i3/24.pdf
Format: Electronisk Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=171321

MARC

LEADER 00000nla2a2200000 4500
001 171321
005 20231031163948.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\185779 
035 |a RU\TPU\book\185778 
090 |a 171321 
100 |a 20091203d2006 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drnn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Релаксация тока в наноразмерных пленках оксида вольфрама (VI)  |b Электронный ресурс  |f С. В. Бин [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный 
215 |a 1 файл (221 Кб) 
225 1 |a Технические науки 
230 |a Электронные текстовые данные (1 файл : 221 Кб) 
300 |a Заглавие с титульного листа 
300 |a Электронная версия печатной публикации 
320 |a [Библиогр.: с. 106 (14 назв.)] 
330 |a В диапазоне внешних напряжений +-10 В независимо от толщины пленок WO[3] (20…100 нм), времени выдержки образцов в атмосферных условиях (2…180 ч), материала подложки (фторопласт 4, стекло ГОСТ 9284 - 59) на кинетических кривых тока релаксации систем Cu - WO[3] - Cu проявляются три участка: резкое возрастание тока (начальный максимум), участок уменьшения тока и стационарный участок, а также отсутствует запасание энергии в системах Cu - WO[3] - Cu. Обнаружено аномальное увеличение стационарного тока при толщине пленок WO[3] ≈35 нм. Установлено влияние материала подложки (стекло, фторопласт 4) на кинетические закономерности тока релаксации в системах Cu - WO[3] - Cu. В результате постпроцессов релаксация систем Cu - WO[3] - Cu на стеклянных носителях завершается через ~48 ч, а на фторопластовых - через ~180 ч. 
337 |a Adobe Reader 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176237  |t Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]  |f Томский политехнический университет (ТПУ)  |d 2000- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\185729  |x 1684-8519  |t Т. 309, № 3  |v [С. 102-106]  |d 2006  |p 261 с. 
610 1 |a релаксация 
610 1 |a токи 
610 1 |a наноразмерные пленки 
610 1 |a оксид вольфрама 
610 1 |a внешние напряжения 
610 1 |a толщина 
610 1 |a выдержка 
610 1 |a образцы 
610 1 |a атмосферные условия 
610 1 |a материалы 
610 1 |a подложки 
610 1 |a кинетические кривые 
610 1 |a стационарный участок 
610 1 |a энергия 
610 1 |a стационарный ток 
610 1 |a стекла 
610 1 |a фторопласты 
610 1 |a кинетические закономерности 
610 1 |a постпроцессы 
610 1 |a стеклянные носители 
610 1 |a фторопластовые носители 
610 1 |a электронный ресурс 
701 1 |a Бин  |b С. В. 
701 1 |a Борисова  |b Н. В. 
701 1 |a Суровой  |b Э. П. 
701 1 |a Титов  |b И. В. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20090623  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20211021  |g PSBO 
856 4 |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2006/v309/i3/24.pdf 
942 |c CF