Развитие предпробивных неустойчивостей в конденсированных диэлектриках; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 309, № 2

Xehetasun bibliografikoak
Parent link:Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000-
Т. 309, № 2.— 2006.— [С. 64-69]
Egile nagusia: Лопатин В. В. Владимир Васильевич
Beste egile batzuk: Носков М. Д.
Gaia:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
В терминах развития неустойчивостей в открытых системах проанализированы существующие представления об инициировании и развитии разрядных каналов в жидких и твердых диэлектриках. Аргументируется подход к количественному описанию развития разрядных каналов на основе законов электродинамики и стохастического уравнения, связывающего вероятность фазового перехода диэлектрик-плазма с накопленной энергией. Приведена физико-математическая модель, позволяющая самосогласованным решением уравнений симулировать развитие разрядных каналов. На примерах результатов моделирования продемонстрированы возможности определения параметров и характеристик развивающегося разряда.
Hizkuntza:errusiera
Argitaratua: 2006
Saila:Технические науки
Gaiak:
Sarrera elektronikoa:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2006/v309/i2/13.pdf
Formatua: Baliabide elektronikoa Liburu kapitulua
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=171169

MARC

LEADER 00000nla2a2200000 4500
001 171169
005 20231031163931.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\185626 
035 |a RU\TPU\book\185625 
090 |a 171169 
100 |a 20091202d2006 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drnn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Развитие предпробивных неустойчивостей в конденсированных диэлектриках  |b Электронный ресурс  |f В. В. Лопатин, М. Д. Носков 
203 |a Текст  |c электронный 
215 |a 1 файл (606 Кб) 
225 1 |a Технические науки 
230 |a Электронные текстовые данные (1 файл : 606 Кб) 
300 |a Заглавие с титульного листа 
300 |a Электронная версия печатной публикации 
320 |a [Библиогр.: с. 69 (28 назв.)] 
330 |a В терминах развития неустойчивостей в открытых системах проанализированы существующие представления об инициировании и развитии разрядных каналов в жидких и твердых диэлектриках. Аргументируется подход к количественному описанию развития разрядных каналов на основе законов электродинамики и стохастического уравнения, связывающего вероятность фазового перехода диэлектрик-плазма с накопленной энергией. Приведена физико-математическая модель, позволяющая самосогласованным решением уравнений симулировать развитие разрядных каналов. На примерах результатов моделирования продемонстрированы возможности определения параметров и характеристик развивающегося разряда. 
337 |a Adobe Reader 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176237  |t Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]  |f Томский политехнический университет (ТПУ)  |d 2000- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\185599  |t Т. 309, № 2  |v [С. 64-69]  |d 2006  |p 288 с. 
610 1 |a предпробивные неустойчивости 
610 1 |a конденсированные диэлектрики 
610 1 |a открытые системы 
610 1 |a инициирование 
610 1 |a разрядные каналы 
610 1 |a жидкие диэлектрики 
610 1 |a твердые диэлектрики 
610 1 |a электродинамика 
610 1 |a стохастические уравнения 
610 1 |a фазовые переходы 
610 1 |a плазма 
610 1 |a энергия 
610 1 |a физико-математические модели 
610 1 |a моделирование 
610 1 |a параметры 
610 1 |a характеристики 
610 1 |a развивающиеся разряды 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронный ресурс 
700 1 |a Лопатин  |b В. В.  |c электрофизик  |c доктор физико-математических наук, профессор Томского политехнического университета, директор НИИ высоких напряжений  |f 1947-  |g Владимир Васильевич  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\20662 
701 1 |a Носков  |b М. Д. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20090623  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20211015  |g PSBO 
856 4 |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2006/v309/i2/13.pdf 
942 |c CF