Развитие предпробивных неустойчивостей в конденсированных диэлектриках

Bibliographic Details
Parent link:Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000-
Т. 309, № 2.— 2006.— [С. 64-69]
Main Author: Лопатин В. В. Владимир Васильевич
Other Authors: Носков М. Д.
Summary:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
В терминах развития неустойчивостей в открытых системах проанализированы существующие представления об инициировании и развитии разрядных каналов в жидких и твердых диэлектриках. Аргументируется подход к количественному описанию развития разрядных каналов на основе законов электродинамики и стохастического уравнения, связывающего вероятность фазового перехода диэлектрик-плазма с накопленной энергией. Приведена физико-математическая модель, позволяющая самосогласованным решением уравнений симулировать развитие разрядных каналов. На примерах результатов моделирования продемонстрированы возможности определения параметров и характеристик развивающегося разряда.
Published: 2006
Series:Технические науки
Subjects:
Online Access:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2006/v309/i2/13.pdf
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=171169