Развитие предпробивных неустойчивостей в конденсированных диэлектриках; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 309, № 2
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 309, № 2.— 2006.— [С. 64-69] |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Outros Autores: | |
| Resumo: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации В терминах развития неустойчивостей в открытых системах проанализированы существующие представления об инициировании и развитии разрядных каналов в жидких и твердых диэлектриках. Аргументируется подход к количественному описанию развития разрядных каналов на основе законов электродинамики и стохастического уравнения, связывающего вероятность фазового перехода диэлектрик-плазма с накопленной энергией. Приведена физико-математическая модель, позволяющая самосогласованным решением уравнений симулировать развитие разрядных каналов. На примерах результатов моделирования продемонстрированы возможности определения параметров и характеристик развивающегося разряда. |
| Idioma: | russo |
| Publicado em: |
2006
|
| coleção: | Технические науки |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2006/v309/i2/13.pdf |
| Formato: | Recurso Eletrônico Capítulo de Livro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=171169 |
| Descrição Física: | 1 файл (606 Кб) |
|---|---|
| Resumo: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации В терминах развития неустойчивостей в открытых системах проанализированы существующие представления об инициировании и развитии разрядных каналов в жидких и твердых диэлектриках. Аргументируется подход к количественному описанию развития разрядных каналов на основе законов электродинамики и стохастического уравнения, связывающего вероятность фазового перехода диэлектрик-плазма с накопленной энергией. Приведена физико-математическая модель, позволяющая самосогласованным решением уравнений симулировать развитие разрядных каналов. На примерах результатов моделирования продемонстрированы возможности определения параметров и характеристик развивающегося разряда. |