Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10

Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Прудаев И. А. Илья Анатольевич
Autor Corporativo:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ) Лаборатория физики полупроводников
Otros Autores:	Хлудков С. С. Станислав Степанович (727)
Sumario:	Защита сост. 4.06.2009 г.
Publicado:	Томск, 2009
Materias:	полупроводники примеси легирование диффузионные структуры изготовление исследование электрические характеристики авторефераты диссертаций
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=164902

Ejemplares similares

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
por: Спирина А. А. Анна Александровна
Publicado: (Новосибирск, 2023)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2002)

Электрофизические свойства арсенида галлия учебное пособие
por: Сытенко Т. Н.
Publicado: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и El2 автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
por: Верхолетов М. Г. Максим Георгиевич
Publicado: (Томск, 2023)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Publicado: (Ташкент, Фан, 1986)

Современные приборы на основе арсенида галлия пер. с англ.
por: Шур М. С. Михаил Саулович
Publicado: (Москва, Мир, 1991)

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия
por: Черняев А. В. Александр Владимирович
Publicado: (Москва, Радио и связь, 1990)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2002)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.07
por: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Publicado: (Томск, 1985)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия
por: Сараева В. Е.
Publicado: (1989)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado: (Томск, 1999)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (2018)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование влияния состава среды на кинетику растворения арсенида галлия в неводных растворах брома и йода автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук спец. 02.00.04
por: Ступина Н. М. Нини Михайловна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1973)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами
por: Пешев В. В.
Publicado: (2002)

Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС Промежуточный отчет о НИР Тема : г/б 01.02.03.2
Publicado: (Томск, 1988)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия
por: Карлова Г. Ф.
Publicado: (2011)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
por: Long Stephen I
Publicado: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
Publicado: (2014)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2004)

Физико-химические условия устойчивости легированных марганцем нанослоев арсенида галлия и его изоэлектронных аналогов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 02.00.04
por: Терентьева Ю. В. Юлия Владимировна
Publicado: (Барнаул, 2013)

Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия
por: Клименов В. А. Василий Александрович
Publicado: (2012)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления пер. с англ.
Publicado: (Москва, Радио и связь, 1988)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
por: Толбанов О. П.
Publicado: (2003)

Решение некоторых физико-химических вопросов и разработка методик анализа арсенида галлия методом АПН автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук спец. 071
por: Килина З. Г.
Publicado: (Томск, 1969)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия
por: Стебенева В. И.
Publicado: (2018)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2012)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
por: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Publicado: (Томск, 2023)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2013)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия
por: Карлова Г. Ф.
Publicado: (2003)

Исследования по разработке методик определения микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением отчет о НИР тема: х/д 29/66
Publicado: (Томск, 1967)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией
Publicado: (2013)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства
Publicado: (2009)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук спец. 01.04.10
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (Томск, 2003)

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
por: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
Publicado: (Томск, 2010)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства
Publicado: (2011)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2014)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
por: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publicado: (Москва, Энергия, 1974)

Германиевые вплавные-диффузионные триоды Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук
por: Самохвалов М. М.
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1958)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs монография
por: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Publicado: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)