• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avanzata
  • Диффузионные структуры на осно...
  • Citazione
  • Invia SMS
  • Invia email
  • Stampa
  • Esporta il record
    • Esporta a RefWorks
    • Esporta a EndNoteWeb
    • Esporta a EndNote
  • PLink permanente
Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10

Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Dettagli Bibliografici
Autore principale: Прудаев И. А. Илья Анатольевич
Ente Autore: Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ) Лаборатория физики полупроводников
Altri autori: Хлудков С. С. Станислав Степанович (727)
Riassunto:Защита сост. 4.06.2009 г.
Pubblicazione: Томск, 2009
Soggetti:
полупроводники
примеси
легирование
диффузионные структуры
изготовление
исследование
электрические характеристики
авторефераты диссертаций
Natura: Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=164902
  • Posseduto
  • Descrizione
  • Documenti analoghi
  • MARC21

Documenti analoghi

  • Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
    di: Спирина А. А. Анна Александровна
    Pubblicazione: (Новосибирск, 2023)
  • Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия
    di: Ардышев М. В.
    Pubblicazione: (2002)
  • Электрофизические свойства арсенида галлия учебное пособие
    di: Сытенко Т. Н.
    Pubblicazione: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)
  • Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и El2 автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
    di: Верхолетов М. Г. Максим Георгиевич
    Pubblicazione: (Томск, 2023)
  • Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
    Pubblicazione: (Ташкент, Фан, 1986)