Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография

Manylion Llyfryddiaeth
Prif Awdur:	Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Awdur Corfforaethol:	Воронежский государственный университет
Awduron Eraill:	Пшестанчик В. Р. Валерий Рафаилович, Кострюков В. Ф. Виктор Федорович
Crynodeb:	В монографии рассматриваются процессы хемостимулированного термического окисления бинарных полупроводников A'"BV, обеспечивающие целенаправленное химическое воздействие на кинетику и механизм гетерогенных реакций в открытых тонкопленочных системах при создании функциональных гетероструктур диэлектрик-полупроводник. Обсуждаются преимущества химических методов управления маршрутами многоканальных реакций (кинетическое сопряжение, транзит, гетерогенный катализ), обусловленные разнообразием химической природы вводимых соединений-активаторов и возможными взаимодействиями между ними. Выявляются закономерности и особенности нелинейных эффектов, наблюдаемых при совместном воздействии нескольких активаторов. Монография может быть полезной для специалистов, занимающихся исследованиями в области неорганической химии, химии твердого тела и полупроводников, химического материаловедения, а также для студентов старших курсов, обучающихся по соответствующим направлениям.
Iaith:	Rwseg
Cyhoeddwyd:	Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008
Pynciau:	Галлий, арсенид > (химия) арсенид галлия активированное окисление нелинейные эффекты бинарные полупроводники термооксидирование хемостимулирование оксиды неорганическая химия химия твёрдого тела материаловедение
Fformat:	Llyfr
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=164537

Eitemau Tebyg

Gallium arsenide digital integrated circuit design
gan: Long Stephen I
Cyhoeddwyd: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия; Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов: Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС; Промежуточный отчет о НИР; Тема : г/б 01.02.03.2
Cyhoeddwyd: (Томск, 1988)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
gan: Сытенко Т. Н.
Cyhoeddwyd: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Исследования по разработке методик определения микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением: отчет о НИР; тема: х/д 29/66
Cyhoeddwyd: (Томск, 1967)

Исследование влияния состава среды на кинетику растворения арсенида галлия в неводных растворах брома и йода: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук; спец. 02.00.04
gan: Ступина Н. М. Нини Михайловна
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 1973)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
gan: Сараева В. Е.
Cyhoeddwyd: (1989)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
gan: Спирина А. А. Анна Александровна
Cyhoeddwyd: (Новосибирск, 2023)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
gan: Ардышев М. В.
Cyhoeddwyd: (2002)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Cyhoeddwyd: (2009)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Cyhoeddwyd: (2007)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Cyhoeddwyd: (Ташкент, Фан, 1986)

Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
Cyhoeddwyd: (Москва, Советское радио, 1972)

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
Cyhoeddwyd: (Москва, Наука, 1973)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
gan: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Cyhoeddwyd: (2002)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
gan: Костылев С. А. Сергей Александрович
Cyhoeddwyd: (Киев, Наукова думка, 1990)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
gan: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Cyhoeddwyd: (Томск, 1985)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
gan: Толбанов О. П.
Cyhoeddwyd: (2003)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
gan: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Cyhoeddwyd: (2018)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
gan: Пешев В. В. Владимир Викторович
Cyhoeddwyd: (Томск, 1999)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Cyhoeddwyd: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Cyhoeddwyd: (2009)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
gan: Толбанов О. П. Олег Петрович
Cyhoeddwyd: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
gan: Пешев В. В. Владимир Викторович
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
gan: Потапов А. И. Александр Иванович
Cyhoeddwyd: (Томск, 1999)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
gan: Ардышев М. В.
Cyhoeddwyd: (2004)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Cyhoeddwyd: (Москва, Мир, 1980)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
gan: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Cyhoeddwyd: (2014)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
gan: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Cyhoeddwyd: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Cyhoeddwyd: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Cyhoeddwyd: (2011)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Cyhoeddwyd: (2014)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
Cyhoeddwyd: (Москва, Радио и связь, 1988)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
gan: Пешев В. В.
Cyhoeddwyd: (2002)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
gan: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Cyhoeddwyd: (Томск, 2000)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
gan: Толбанов О. П. Олег Петрович
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
gan: Потапов А. И. Александр Иванович
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
gan: Максимова Н. К.
Cyhoeddwyd: (Томск, 1972)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
gan: Карлова Г. Ф.
Cyhoeddwyd: (2003)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
gan: Карлова Г. Ф.
Cyhoeddwyd: (2011)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
gan: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Cyhoeddwyd: (2012)