Новые методы расчета электрических полей и пробивных напряжений p-n переходов в полупроводниковых приборах, монография

Bibliographic Details
Main Author: Петров Б. К. Борис Константинович
Other Authors: Шалимов О. Н. Олег Николаевич
Summary:В монографии рассматриваются вопросы расчетов электрических полей в различных полупроводниковых приборах с р-п переходами с помощью новых методов, не требующих громоздких численных методов решения двух- или трехмерных уравнений Пуассона со сложными граничными условиями. Получены достаточно простыне и наглядные аналитические выражения для определения продольных и нормальных составляющих электрического поля путем суммирования полей от тонких заряженных цилиндров в двухмерных р-п переходах или от заряженных шаров в трехмерных р-п переходах. Представлены примеры расчетов электрических полей и пробивных напряжений в диодах с плоскими р-п переходами, в мезадиодах, в планарных диодах, в биполярных транзисторах с изолированным затвором.
Published: Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 2008
Subjects:
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=164513

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 164513
005 20231101222502.0
010 |a 9785927312726 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\178471 
090 |a 164513 
100 |a 20090907d2008 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Новые методы расчета электрических полей и пробивных напряжений p-n переходов в полупроводниковых приборах  |e монография  |f Б. К. Петров, О. Н. Шалимов 
210 |a Воронеж  |c Изд-во Воронежского гос. ун-та  |d 2008 
215 |a 213 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 208-213. 
330 |a В монографии рассматриваются вопросы расчетов электрических полей в различных полупроводниковых приборах с р-п переходами с помощью новых методов, не требующих громоздких численных методов решения двух- или трехмерных уравнений Пуассона со сложными граничными условиями. Получены достаточно простыне и наглядные аналитические выражения для определения продольных и нормальных составляющих электрического поля путем суммирования полей от тонких заряженных цилиндров в двухмерных р-п переходах или от заряженных шаров в трехмерных р-п переходах. Представлены примеры расчетов электрических полей и пробивных напряжений в диодах с плоскими р-п переходами, в мезадиодах, в планарных диодах, в биполярных транзисторах с изолированным затвором. 
606 1 |a Полупроводниковые приборы  |x Физика  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50708  |9 69358 
610 1 |a электроника 
610 1 |a p-n переходы 
610 1 |a пробивные напряжения 
610 1 |a электрические поля 
610 1 |a расчет 
610 1 |a пробой 
610 1 |a метод заряженных цилиндров 
610 1 |a метод заряженных шаров 
610 1 |a высоковольтные полупроводниковые устройства 
610 1 |a монографии 
675 |a 621.382:53(075.8)  |v 3 
700 1 |a Петров  |b Б. К.  |g Борис Константинович 
701 1 |a Шалимов  |b О. Н.  |g Олег Николаевич 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20090907 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20191112  |g RCR 
942 |c BK