| Summary: | В монографии рассматриваются вопросы расчетов электрических полей в различных полупроводниковых приборах с р-п переходами с помощью новых методов, не требующих громоздких численных методов решения двух- или трехмерных уравнений Пуассона со сложными граничными условиями. Получены достаточно простыне и наглядные аналитические выражения для определения продольных и нормальных составляющих электрического поля путем суммирования полей от тонких заряженных цилиндров в двухмерных р-п переходах или от заряженных шаров в трехмерных р-п переходах. Представлены примеры расчетов электрических полей и пробивных напряжений в диодах с плоскими р-п переходами, в мезадиодах, в планарных диодах, в биполярных транзисторах с изолированным затвором. |
|---|
