|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
164344 |
| 005 |
20231101222452.0 |
| 010 |
|
|
|a 9785941702282
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\178297
|
| 090 |
|
|
|a 164344
|
| 100 |
|
|
|a 20090904d2008 km y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Методы и средства исследования активных диэлектриков для наноиндустрии: системный подход
|e монография
|f Е. А. Печерская
|g Пензенский государственный университет (ПГУ)
|
| 210 |
|
|
|a Пенза
|c Изд-во ПГУ
|d 2008
|
| 215 |
|
|
|a 130 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 124-129.
|
| 330 |
|
|
|a На основе системного подхода рассмотрены методы и средства измерений электрофизических параметров активных диэлектриков. На примере сегнетоэлектриков - перспективных материалов микро- и наносистемнои техники проанализированы погрешности модели материалов, обусловленные присущими им физическими эффектами, а также параметрами контактов. Приведен функциональный и метрологический анализ модификаций метода Сойера-Тауэра и автоматизированной установки для измерения температурных и полевых зависимостей параметров активных диэлектриков. Рассмотрено применение сканирующей зондовой микроскопии для исследования сегнетоэлектрических материалов.
|
| 606 |
1 |
|
|a Сегнетоэлектрики
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\54329
|9 72486
|
| 610 |
1 |
|
|a сегнетоэлектрические материалы
|
| 610 |
1 |
|
|a активные диэлектрики
|
| 610 |
1 |
|
|a наноиндустрия
|
| 610 |
1 |
|
|a полевые зависимости
|
| 610 |
1 |
|
|a метод Сойера-Тауэра
|
| 610 |
1 |
|
|a диэлектрики
|
| 610 |
1 |
|
|a монографии
|
| 675 |
|
|
|a 537.226.4
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Печерская
|b Е. А.
|g Екатерина Анатольевна
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Пензенский государственный университет (ПГУ)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\14718
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20090904
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20140224
|g RCR
|
| 900 |
|
|
|a Отрасли наноиндустрии. Области применения наноматериалов
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
