| Summary: | На основе системного подхода рассмотрены методы и средства измерений электрофизических параметров активных диэлектриков. На примере сегнетоэлектриков - перспективных материалов микро- и наносистемнои техники проанализированы погрешности модели материалов, обусловленные присущими им физическими эффектами, а также параметрами контактов. Приведен функциональный и метрологический анализ модификаций метода Сойера-Тауэра и автоматизированной установки для измерения температурных и полевых зависимостей параметров активных диэлектриков. Рассмотрено применение сканирующей зондовой микроскопии для исследования сегнетоэлектрических материалов. |
|---|
