|
|
|
|
| LEADER |
00000nam2a2200000 4500 |
| 001 |
164265 |
| 005 |
20231101222447.0 |
| 010 |
|
|
|a 9785725605204
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\178218
|
| 090 |
|
|
|a 164265
|
| 100 |
|
|
|a 20090903d2008 m y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a j 001zy
|
| 200 |
0 |
|
|a Ч. 1
|
| 210 |
|
|
|d 2008
|
| 215 |
|
|
|a 160 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 157.
|
| 320 |
|
|
|a Список использованных сокращений: с. 3-4.
|
| 330 |
|
|
|a Изложены основные технологии создания интегральных схем (ИС) и преимущественно сверхбольших ИС (СБИС), включая новейшие достижения в области субмикронной технологии. В первой части пособия представлены наиболее важные теоретические положения, составляющие суть технологических процессов в микроэлектронике (МЭ), и направления их развития. Материал пособия основан на опыте преподавания дисциплин "ТИКИМС", "Физические основы МЭ" и смежных с ними и предназначен для студентов факультетов МПиТК, ЭТМО, ПрИТ МИЭТ. Может быть полезен аспирантам и специалистам, занятым в сфере микроэлектроники.
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\179521
|t Технологические основы микроэлектроники
|o учебное пособие
|o в 2 ч.
|f Б. М. Симонов, А. В. Заводян
|g Московский государственный институт электронной техники (Технический университет) (МИЭТ) ; под ред. С. П. Тимошенкова
|v Ч. 1
|d 2008
|
| 606 |
1 |
|
|a Микроэлектроника
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\43811
|9 63253
|
| 610 |
1 |
|
|a технологии
|
| 610 |
1 |
|
|a монокристаллический кремний
|
| 610 |
1 |
|
|a эпитаксия
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a окисление
|
| 610 |
1 |
|
|a тонкие пленки
|
| 610 |
1 |
|
|a металлизация
|
| 610 |
1 |
|
|a учебные пособия
|
| 610 |
1 |
|
|a интегральные схемы
|
| 610 |
1 |
|
|a субмикроны
|
| 675 |
|
|
|a 621.382.049.77(075.8)
|v 3
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20090903
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20150619
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
