Разработка и внедрение многоэлементных методик контроля частоты п/п материалов и методик послойного анализа CaAs: заключительный отчет о НИР; тема: 5-3/79

Bibliografiske detaljer
Institution som forfatter: Томский политехнический институт (595)
Andre forfattere: Каплин А. А. (исполнитель), Стромберг А. Г. Армин Генрихович (руководитель)
Summary:Разработана методика определения Zn, Cd, Pb, Cu, Bi. Sb, Au,Sn, Te, Fe из одной навески пленок SiO2, Si3N4, Al2O3 на арсениде галлия. После растворения пленок и удаления SiF4 проводят экстракционное отделение Ga, Au, Fe диэтиловым эфиром. Водную фазу анализируют на Te, Sn + Pb, Bi, Sb, Cu на кислом фоне. После упаривания кислого фона и об­работки его водой проводят определение Zn, Cd, Pb на ней­тральном фоне. Методика послойного анализа GaAs, Se на со­держание Sl основана на определении Se по пикам восстанов­ления соединения Se с Bi , полученного в результате совместного осаждения Se с Bi.. Мещающее влияние As устраняется отгон­кой мышьяка в виде AsСl3 на водяной бане. Определение As, Ge в пленках SiO2, Si3N4, Al2O3 проводят из отдельных навесов (для определения As используют графи­товый электрод с золотой пленкой, для определения Ge - ртут­ная капля).
Sprog:russisk
Udgivet: Томск, 1980
Fag:
Format: Bog
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=158856

MARC

LEADER 00000nbm0a2200000 4500
001 158856
005 20260715071802.0
029 0 0 |a SU  |b 79021020  |f ТПУ 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\172287 
090 |a 158856 
100 |a 20090429d1980 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a p 001zy 
200 1 |a Разработка и внедрение многоэлементных методик контроля частоты п/п материалов и методик послойного анализа CaAs  |e заключительный отчет о НИР  |e тема: 5-3/79  |f Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель А. Г. Стромберг ; А. А. Каплин 
210 |a Томск  |d 1980 
215 |a 42 л. 
320 |a Библиогр.: с. 41-42. 
330 |a Разработана методика определения Zn, Cd, Pb, Cu, Bi. Sb, Au,Sn, Te, Fe из одной навески пленок SiO2, Si3N4, Al2O3 на арсениде галлия. После растворения пленок и удаления SiF4 проводят экстракционное отделение Ga, Au, Fe диэтиловым эфиром. Водную фазу анализируют на Te, Sn + Pb, Bi, Sb, Cu на кислом фоне. После упаривания кислого фона и об­работки его водой проводят определение Zn, Cd, Pb на ней­тральном фоне. Методика послойного анализа GaAs, Se на со­держание Sl основана на определении Se по пикам восстанов­ления соединения Se с Bi , полученного в результате совместного осаждения Se с Bi.. Мещающее влияние As устраняется отгон­кой мышьяка в виде AsСl3 на водяной бане. Определение As, Ge в пленках SiO2, Si3N4, Al2O3 проводят из отдельных навесов (для определения As используют графи­товый электрод с золотой пленкой, для определения Ge - ртут­ная капля). 
606 1 |a Вольтамперометрия инверсионная  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\72717  |9 86121 
610 1 |a отчеты о НИР 
610 1 |a многоэлементный анализ 
610 1 |a ртутно-пленочные электроды 
610 1 |a графитовые электроды 
610 1 |a травление пленок 
610 1 |a экстрация 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
675 |a 543.552(04)  |v 3 
702 1 |a Каплин  |b А. А.  |4 677 
702 1 |a Стромберг  |b А. Г.  |c химик, специалист в области классической полярографии и инверсионной вольтамперометрии  |c профессор Томского политехнического института  |f 1910-2004  |g Армин Генрихович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\11188  |4 673  |9 2478 
712 0 2 |a Томский политехнический институт  |c 1944-1991  |7 ca  |8 rus  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\1123  |4 595  |9 23521 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20090429  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150326  |g RCR 
942 |c BK