| Summary: | Разработана методика определения Zn, Cd, Pb, Cu, Bi. Sb, Au,Sn, Te, Fe из одной навески пленок SiO2, Si3N4, Al2O3 на арсениде галлия. После растворения пленок и удаления SiF4 проводят экстракционное отделение Ga, Au, Fe диэтиловым эфиром. Водную фазу анализируют на Te, Sn + Pb, Bi, Sb, Cu на кислом фоне. После упаривания кислого фона и обработки его водой проводят определение Zn, Cd, Pb на нейтральном фоне. Методика послойного анализа GaAs, Se на содержание Sl основана на определении Se по пикам восстановления соединения Se с Bi , полученного в результате совместного осаждения Se с Bi.. Мещающее влияние As устраняется отгонкой мышьяка в виде AsСl3 на водяной бане. Определение As, Ge в пленках SiO2, Si3N4, Al2O3 проводят из отдельных навесов (для определения As используют графитовый электрод с золотой пленкой, для определения Ge - ртутная капля). |
|---|
