Разработка и внедрение многоэлементных методик контроля частоты п/п материалов и методик послойного анализа CaAs заключительный отчет о НИР тема: 5-3/79

Разработка и внедрение многоэлементных методик контроля частоты п/п материалов и методик послойного анализа CaAs, заключительный отчет о НИР тема: 5-3/79

Bibliographic Details
Corporate Author: Томский политехнический институт (595)
Other Authors: Каплин А. А. (677), Стромберг А. Г. Армин Генрихович (673)
Summary:Разработана методика определения Zn, Cd, Pb, Cu, Bi. Sb, Au,Sn, Te, Fe из одной навески пленок SiO2, Si3N4, Al2O3 на арсениде галлия. После растворения пленок и удаления SiF4 проводят экстракционное отделение Ga, Au, Fe диэтиловым эфиром. Водную фазу анализируют на Te, Sn + Pb, Bi, Sb, Cu на кислом фоне. После упаривания кислого фона и об­работки его водой проводят определение Zn, Cd, Pb на ней­тральном фоне. Методика послойного анализа GaAs, Se на со­держание Sl основана на определении Se по пикам восстанов­ления соединения Se с Bi , полученного в результате совместного осаждения Se с Bi.. Мещающее влияние As устраняется отгон­кой мышьяка в виде AsСl3 на водяной бане. Определение As, Ge в пленках SiO2, Si3N4, Al2O3 проводят из отдельных навесов (для определения As используют графи­товый электрод с золотой пленкой, для определения Ge - ртут­ная капля).
Published: Томск, 1980
Subjects:
отчеты о НИР
многоэлементный анализ
ртутно-пленочные электроды
графитовые электроды
травление пленок
экстрация
труды учёных ТПУ
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=158856
Description
Physical Description:42 л.
Summary:Разработана методика определения Zn, Cd, Pb, Cu, Bi. Sb, Au,Sn, Te, Fe из одной навески пленок SiO2, Si3N4, Al2O3 на арсениде галлия. После растворения пленок и удаления SiF4 проводят экстракционное отделение Ga, Au, Fe диэтиловым эфиром. Водную фазу анализируют на Te, Sn + Pb, Bi, Sb, Cu на кислом фоне. После упаривания кислого фона и об­работки его водой проводят определение Zn, Cd, Pb на ней­тральном фоне. Методика послойного анализа GaAs, Se на со­держание Sl основана на определении Se по пикам восстанов­ления соединения Se с Bi , полученного в результате совместного осаждения Se с Bi.. Мещающее влияние As устраняется отгон­кой мышьяка в виде AsСl3 на водяной бане. Определение As, Ge в пленках SiO2, Si3N4, Al2O3 проводят из отдельных навесов (для определения As используют графи­товый электрод с золотой пленкой, для определения Ge - ртут­ная капля).

Similar Items