Арсенид галлия, сборник статей

Bibliografiska uppgifter
Institutionell upphovsman:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Övriga upphovsmän:	Кривов М. А. (340), Лаврентьева Л. Г., Преснов В. А.
Sammanfattning:	Сборник посвящен исследованию полупроводниковых свойств арсенида галлия - одного из наиболее перспективных материалов для микроэлектроники. Рассмотрены вопросы, касающиеся реальной структуры арсенида галлия и его твердых растворов с фосфидом галлия (дислокациями, дефекты упаковки), структура энергетических зон и способы ее исследования, поведение основных легирующих примесей в арсениде галлия и способы выявления этих примесей, диффузия элементов II, IV и VI групп в арсениде галлия, р-п переходы на основе арсенида галлия (сплавные, диффузионные, эпитаксиаль-ные, точечно-контактные), омические контакты на арсениде галлия, эпитаксиальный рост слоев арсенида галлия из газовой фазы. В книге даны обзоры по основным направлениям исследования и применения арсенида галлия: структуре энергетических зон в арсениде галлия, рекомбинационному излучению, эиитаксиальному росту, электронно-дырочным переходам, перспективам применения арсенида галлия, выявлению микропри-месей в арсениде галлия. Книга предназначена для инженерно-технических и научных работников, работающих в области физики полупроводников и микроэлектроники и может быть использована в качестве учебного пособия студентами, специализирующимися в области физики, полупроводников, полупроводниковой и квантовой радиоэлектроники. Сборник составлен из докладов, прочитанных на Всесоюзном совещании по исследованию арсенида галлия, в Томске в сентябре 1965 г.
Publicerad:	Томск, Изд-во ТГУ, 1968
Ämnen:	арсенид галлия свойства исследование структура рекомбинационное излучение контактные явления диффузия примесей эпитаксиальные слои микропримеси труды учёных ТПУ
Materialtyp:	Bok
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=148043