| Summary: | Сборник посвящен исследованию полупроводниковых свойств арсенида галлия - одного из наиболее перспективных материалов для микроэлектроники. Рассмотрены вопросы, касающиеся реальной структуры арсенида галлия и его твердых растворов с фосфидом галлия (дислокациями, дефекты упаковки), структура энергетических зон и способы ее исследования, поведение основных легирующих примесей в арсениде галлия и способы выявления этих примесей, диффузия элементов II, IV и VI групп в арсениде галлия, р-п переходы на основе арсенида галлия (сплавные, диффузионные, эпитаксиаль-ные, точечно-контактные), омические контакты на арсениде галлия, эпитаксиальный рост слоев арсенида галлия из газовой фазы. В книге даны обзоры по основным направлениям исследования и применения арсенида галлия: структуре энергетических зон в арсениде галлия, рекомбинационному излучению, эиитаксиальному росту, электронно-дырочным переходам, перспективам применения арсенида галлия, выявлению микропри-месей в арсениде галлия. Книга предназначена для инженерно-технических и научных работников, работающих в области физики полупроводников и микроэлектроники и может быть использована в качестве учебного пособия студентами, специализирующимися в области физики, полупроводников, полупроводниковой и квантовой радиоэлектроники. Сборник составлен из докладов, прочитанных на Всесоюзном совещании по исследованию арсенида галлия, в Томске в сентябре 1965 г. |
|---|
