|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
148043 |
| 005 |
20231031145304.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\160475
|
| 090 |
|
|
|a 148043
|
| 100 |
|
|
|a 20081125d1968 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Арсенид галлия
|e сборник статей
|f Томский государственный университет (ТГУ), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ) ; под ред. М. А. Кривова ; Л. Г. Лаврентьевой ; В. А. Преснова
|
| 210 |
|
|
|a Томск
|c Изд-во ТГУ
|d 1968
|
| 215 |
|
|
|a 504 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце статей
|
| 330 |
|
|
|a Сборник посвящен исследованию полупроводниковых свойств арсенида галлия - одного из наиболее перспективных материалов для микроэлектроники. Рассмотрены вопросы, касающиеся реальной структуры арсенида галлия и его твердых растворов с фосфидом галлия (дислокациями, дефекты упаковки), структура энергетических зон и способы ее исследования, поведение основных легирующих примесей в арсениде галлия и способы выявления этих примесей, диффузия элементов II, IV и VI групп в арсениде галлия, р-п переходы на основе арсенида галлия (сплавные, диффузионные, эпитаксиаль-ные, точечно-контактные), омические контакты на арсениде галлия, эпитаксиальный рост слоев арсенида галлия из газовой фазы. В книге даны обзоры по основным направлениям исследования и применения арсенида галлия: структуре энергетических зон в арсениде галлия, рекомбинационному излучению, эиитаксиальному росту, электронно-дырочным переходам, перспективам применения арсенида галлия, выявлению микропри-месей в арсениде галлия. Книга предназначена для инженерно-технических и научных работников, работающих в области физики полупроводников и микроэлектроники и может быть использована в качестве учебного пособия студентами, специализирующимися в области физики, полупроводников, полупроводниковой и квантовой радиоэлектроники. Сборник составлен из докладов, прочитанных на Всесоюзном совещании по исследованию арсенида галлия, в Томске в сентябре 1965 г.
|
| 610 |
1 |
|
|a арсенид галлия
|
| 610 |
1 |
|
|a свойства
|
| 610 |
1 |
|
|a исследование
|
| 610 |
1 |
|
|a структура
|
| 610 |
1 |
|
|a рекомбинационное излучение
|
| 610 |
1 |
|
|a контактные явления
|
| 610 |
1 |
|
|a диффузия примесей
|
| 610 |
1 |
|
|a эпитаксиальные слои
|
| 610 |
1 |
|
|a микропримеси
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 675 |
|
|
|a 621.315.592(063)
|v 3
|
| 702 |
|
1 |
|a Кривов
|b М. А.
|4 340
|
| 702 |
|
1 |
|a Лаврентьева
|b Л. Г.
|4 340
|
| 702 |
|
1 |
|a Преснов
|b В. А.
|4 340
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Томский государственный университет (ТГУ)
|b Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\861
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20081125
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20101125
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
