• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avanzado
  • Электрофизические свойства тро...
  • Citar
  • Text this
  • Enviar este rexistro por email
  • Imprimir
  • Exportar rexistro
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Permanent link
Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07

Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07

Detalles Bibliográficos
Autor Principal: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Autor Corporativo: Томский государственный университет (ТГУ)
Outros autores: Брудный В. Н. Валентин Натанович (научный руководитель)
Idioma:ruso
Publicado: Томск, [Б. и.], 2008
Subjects:
полупроводники
тройные соединения
радиационные дефекты
диарсениды
диарсенид цинка-олова
диарсенид цинка-германия
диарсенид цинка-кремния
диарсенид кадмия-олова
диарсенид кадмия-германия
диарсенид кадмия-кремния
бинарные аналоги
уровни Ферми
закрепление
диссертации
Formato: Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=141543
  • Existencias
  • Descripción
  • Títulos similares
  • Staff View
Descripción
Descrición Física:92 л. ил.

Títulos similares

  • Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
    por: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
    Publicado: (Томск, [Б. и.], 2008)
  • Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
    por: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
    Publicado: (Томск, [Б. и.], 2008)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
    por: Новиков В. А. Владимир Александрович
    Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
    por: Новиков В. А. Владимир Александрович
    Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
    por: Новиков В. А. Владимир Александрович
    Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)