• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Advanced
  • Электрофизические свойства тро...
  • Cite this
  • Text this
  • Email this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07

Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами, диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Bibliographic Details
Main Author: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Corporate Author: Томский государственный университет (ТГУ)
Other Authors: Брудный В. Н. Валентин Натанович (727)
Published: Томск, [Б. и.], 2008
Subjects:
полупроводники
тройные соединения
радиационные дефекты
диарсениды
диарсенид цинка-олова
диарсенид цинка-германия
диарсенид цинка-кремния
диарсенид кадмия-олова
диарсенид кадмия-германия
диарсенид кадмия-кремния
бинарные аналоги
уровни Ферми
закрепление
диссертации
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=141543
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Similar Items

  • Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
    by: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
    Published: (Томск, [Б. и.], 2008)
  • Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
    by: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
    Published: (Томск, [Б. и.], 2008)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
    by: Новиков В. А. Владимир Александрович
    Published: (Томск, [Б. и.], 2007)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
    by: Новиков В. А. Владимир Александрович
    Published: (Томск, [Б. и.], 2007)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
    by: Новиков В. А. Владимир Александрович
    Published: (Томск, [Б. и.], 2007)