Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
| Главный автор: | Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна |
|---|---|
| Автор-организация: | Томский государственный университет (ТГУ) |
| Другие авторы: | Брудный В. Н. Валентин Натанович (научный руководитель) |
| Примечания: | Защита сост. 11.06.2008 г. |
| Язык: | русский |
| Опубликовано: |
Томск, [Б. и.], 2008
|
| Предметы: | |
| Формат: | Книга |
| Запись в KOHA: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=141542 |
Схожие документы
Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
по: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2008)
по: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2008)
Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
по: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2008)
по: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2008)
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
по: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2007)
по: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2007)
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
по: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2007)
по: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2007)
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2007)
по: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2007)
Химия элементов. Лабораторный практикум учебное пособие
по: Калько О. А.
Опубликовано: (Череповец, ЧГУ, 2021)
по: Калько О. А.
Опубликовано: (Череповец, ЧГУ, 2021)
Спектрально-кинетические характеристики донорно-акцепторных пар в кристаллах сульфида кадмия и селенида цинка; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Опубликовано: (2011)
Опубликовано: (2011)
ИК-лазерное индуцированное изменение Eg в твёрдых растворах p-Cd1-xZnxTe; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Опубликовано: (2011)
Опубликовано: (2011)
Материалы, используемые в полупроводниковых приборах: пер. с англ.
Опубликовано: (Москва, Мир, 1968)
Опубликовано: (Москва, Мир, 1968)
Полупроводниковые пленки и слоистые структуры
Опубликовано: (Киев, Наукова думка, 1977)
Опубликовано: (Киев, Наукова думка, 1977)
Потенциал использования тонкопленочного гетероперехода SnS/ZnO, полученного методом магнетронного распыления; Фундаментальные исследования; № 6, ч. 2
по: Ан В. В. Владимир Вилорьевич
Опубликовано: (2016)
по: Ан В. В. Владимир Вилорьевич
Опубликовано: (2016)
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
по: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2005)
по: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2005)
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
по: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2005)
по: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2005)
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2005)
по: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2005)
Гидротермальный синтез и выращивание монокристаллов: сборник статей
Опубликовано: (Москва, Наука, 1982)
Опубликовано: (Москва, Наука, 1982)
Химия учебное пособие
по: Кочкаров Ж. А.
Опубликовано: (Нальчик, КБГУ, 2017)
по: Кочкаров Ж. А.
Опубликовано: (Нальчик, КБГУ, 2017)
Анодное окисление металлов: межвузовский сборник
Опубликовано: (Казань, Изд-во КАИ, 1983)
Опубликовано: (Казань, Изд-во КАИ, 1983)
Фотолюминесценция композитов на основе полиметилметакрилата и наноразмерных частиц легированных сульфидов цинка и кадмия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук; спец. 02.00.04
по: Исаева А. А. Анастасия Александровна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2022)
по: Исаева А. А. Анастасия Александровна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2022)
Электролюминесценция кристаллов
по: Верещагин И. К. Игорь Константинович
Опубликовано: (Москва, Наука, 1974)
по: Верещагин И. К. Игорь Константинович
Опубликовано: (Москва, Наука, 1974)
Электронная структура и химическая связь в сложных тетрагональных кристаллах А2/3В5/2: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Журавлева Л. В. Людмила Викторовна
Опубликовано: (Кемерово, [Б. и.], 2000)
по: Журавлева Л. В. Людмила Викторовна
Опубликовано: (Кемерово, [Б. и.], 2000)
Вып. 18; Физическая электроника
Опубликовано: (1979)
Опубликовано: (1979)
Синтез и исследование наночастиц и наноматериалов. Практикум
по: Соловов Р. Д.
Опубликовано: (Москва, РТУ МИРЭА, 2023)
по: Соловов Р. Д.
Опубликовано: (Москва, РТУ МИРЭА, 2023)
Поверхностные свойства сплавов на основе свинца, олова, индия, кадмия
по: Дадашев Р. Х.
Опубликовано: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2016)
по: Дадашев Р. Х.
Опубликовано: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2016)
Исследование эволюции структурных дефектов в монокристаллах ZnGeP2, выращенных методом Бриджмена; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 321, № 2 : Математика и механика. Физика
Опубликовано: (2012)
Опубликовано: (2012)
Теплоемкость и термодинамические функции теллурита кальция-кадмия в интервале 298,15...673 К; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 317, № 2: Математика и механика. Физика
по: Рустембеков К. Т.
Опубликовано: (2010)
по: Рустембеков К. Т.
Опубликовано: (2010)
Общая и неорганическая химия. Медь, цинк и их соединения: методические указания к выполнению лабораторных работ по дисциплине «Химия d- элементов» для студентов направления подготовки 18.03.02 и по дисциплине «Общая и неорганическая химия» направления под
по: Школьников Е. В.
Опубликовано: (Санкт-Петербург, СПбГЛТУ, 2016)
по: Школьников Е. В.
Опубликовано: (Санкт-Петербург, СПбГЛТУ, 2016)
Люминесценция сульфида кадмия при сколе в атомарном водороде; 2 Всесоюзное совещание по хемилюминесценции
по: Горбачев А. Ф.
Опубликовано: (1986)
по: Горбачев А. Ф.
Опубликовано: (1986)
Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии
по: Войцеховский А. В.
Опубликовано: (2000)
по: Войцеховский А. В.
Опубликовано: (2000)
Быстрозатвердевшие легкоплавкие сплавы
по: Шепелевич В. Г.
Опубликовано: (Минск, БГУ, 2015)
по: Шепелевич В. Г.
Опубликовано: (Минск, БГУ, 2015)
Влияние микроволнового излучения на приместно-дефектные состояния высокоомных монокристаллов CdTe; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Опубликовано: (2011)
Опубликовано: (2011)
Антимонид кадмия: библиографический указатель
по: Пономарев В. Ф.
Опубликовано: (Москва, 1981)
по: Пономарев В. Ф.
Опубликовано: (Москва, 1981)
Влияние условий на синтез вольфрамата кадмия из водных растворов; Химия и химическая технология в XXI веке; Т. 1
по: Юркова В. Е.
Опубликовано: (2024)
по: Юркова В. Е.
Опубликовано: (2024)
Сорбционная очистка водных сред, содержащих ионы Cd2+ И Pb2+; Инновационные технологии в машиностроении
по: Максимов П. Н. Прокопий Николаевич
Опубликовано: (2024)
по: Максимов П. Н. Прокопий Николаевич
Опубликовано: (2024)
Золь-гель синтез прозрачных проводящих пленок ZnO из раствора салицилата цинка; Вестник Томского государственного университета. Химия; № 25
Опубликовано: (2022)
Опубликовано: (2022)
Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.10
по: Верозубова Г. А. Галина Александровна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2005)
по: Верозубова Г. А. Галина Александровна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2005)
Распределение ионов кадмия и алюминия в тканях и органах муксуна и нельмы нижнего течения Оби; Творчество юных - шаг в успешное будущее
по: Борисенко Н. В.
Опубликовано: (2015)
по: Борисенко Н. В.
Опубликовано: (2015)
Люминесценция широкозонных полупроводников
Опубликовано: (Москва, Наука, 1987)
Опубликовано: (Москва, Наука, 1987)
Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.10
по: Верозубова Г. А. Галина Александровна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2005)
по: Верозубова Г. А. Галина Александровна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2005)
Изучение возможности использования твердого композитного электрода для потенциометрического определения кадмия в растворах; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
по: Бурилова Г. А.
Опубликовано: (2017)
по: Бурилова Г. А.
Опубликовано: (2017)
Вынужденное излучение в кристаллах сульфида кадмия при высоких уровнях возбуждения; Современные техника и технологии; Т. 2
по: Лысык В. В.
Опубликовано: (2011)
по: Лысык В. В.
Опубликовано: (2011)
Схожие документы
-
Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
по: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2008) -
Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
по: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2008) -
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
по: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2007) -
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
по: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2007) -
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2007)